[发明专利]一种改善晶圆内图案临界尺寸均匀度的蚀刻方法和系统

权利要求书

1.一种改善晶圆内图案临界尺寸均匀度的蚀刻方法，其特征在于，该方法包括：

提供一衬底，于所述衬底上形成一底部抗反射涂层，于所述底部抗反射涂层上形成一光刻胶图案；

以第一蚀刻气体对未被所述光刻胶图案覆盖的底部抗反射涂层进行蚀刻，直至所述第一蚀刻气体接触到所述衬底；

以第二蚀刻气体对残余的未被光刻胶图案覆盖的底部抗反射涂层继续蚀刻，同时所述第二蚀刻气体对所述光刻胶图案发生各向同性的侧向反应，直至所述未被光刻胶图案覆盖的底部抗反射涂层被全部蚀刻。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第一蚀刻气体包括全取代氟烷气体。

3.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第二蚀刻气体包括全取代氟烷气体和部分取代氟烷气体。

4.如权利要求2或3所述的蚀刻方法，其特征在于，所述全取代氟烷气体包括CF₄或者C₂F₆或者C₃F₈。

5.如权利要求3所述的蚀刻方法，其特征在于，所述部分取代氟烷气体包括CHF₃或者CH₂F₂或者CH₃F。

6.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第二蚀刻气体对底部抗反射涂层的蚀刻速率大于对光刻胶的蚀刻速率，对光刻胶的蚀刻速率大于对衬底的蚀刻速率。

7.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述衬底材料为多晶硅。

8.一种改善晶圆内图案临界尺寸均匀度的蚀刻系统，其特征在于，包括：

一室，该室能容纳一衬底，所述衬底上形成一底部抗反射涂层，所述底部抗反射涂层上形成一光刻胶图案；

一气体输入机构，该气体输入机构连接第一蚀刻气体源和第二蚀刻气体源；所述第一蚀刻气体包括全取代氟烷气体，所述第二蚀刻气体包括全取代氟烷气体和部分取代氟烷气体；

设置于所述室中的至少一个电极；以及

一射频发生器，与所述至少一个电极电连接，用于将所述第一蚀刻气体或者第二蚀刻气体形成等离子体，对未被所述光刻胶图案覆盖的底部抗反射涂层进行蚀刻，所述第二蚀刻气体对所述光刻胶图案发生各向同性的侧向反应，直至所述未被光刻胶图案覆盖的底部抗反射涂层被全部蚀刻。

9.如权利要求8所述的蚀刻系统，其特征在于，所述第二蚀刻气体对底部抗反射涂层的蚀刻速率大于对光刻胶的蚀刻速率，对光刻胶的蚀刻速率大于对衬底的蚀刻速率。

10.如权利要求8所述的蚀刻系统，其特征在于，由计算机控制所述气体输入机构的第一蚀刻气体源和第二蚀刻气体源的气体输入比例。