[发明专利]一种选择性发射极电池掩膜的制备方法

权利要求书

1.一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：

(1)将印有刻蚀二氧化硅掩膜的硅片送入等离子体增强化学气相沉积法PECVD反应炉管，炉管内温度加热至400~430℃，在4min内压强抽真空至80mTorr；

(2)升高压强至1700mTorr；持续3min，同时通入N₂O流量为4.4slm；

(3)检测炉管压强，30s内降低压强至50mTorr；

(4)进行预沉积处理，在0.3min内维持压强900~1200mTorr，电源功率4300W，通入NH₃流量为1~1.2slm，SiH₄流量为230~270sccm，N₂O流量为4~4.2slm；

(5)沉积处理，升高炉温至450℃，持续1.5min，同时向炉管内通入NH₃流量为2450~2600sccm，SiH₄ 流量为900~1000sccm，N₂O 流量为14~17slm，低频电源功率维持4300W；

(6)沉积完毕后降温至420℃，压强升至10000mTorr，持续5min，同时通入N₂进行吹扫及冷却处理。

2.根据权利要求1所述的一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于步骤(1)中炉管内温度加热至420℃。

3.根据权利要求1所述的一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于步骤(4)中温度为420℃，维持压强1000mTorr，通入的NH₃流量为1slm，SiH₄流量为250sccm，N₂O流量为4slm。

4.根据权利要求1所述的一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于步骤(5)中通入的NH₃流量为2500sccm，SiH₄ 流量为900sccm，N₂O流量为14slm。

5.根据权利要求1所述的一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于步骤(6)通入流量为9~12slm的N₂进行吹扫及冷却处理。

6.根据权利要求5所述的一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于步骤(6)中N₂流量为10slm。