[发明专利]一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜，其特征在于，它是由三层膜构成，第一层为太阳能电池晶体硅表面的氮化硅薄膜，厚度为8~12nm，折射率为2.3~2.4，第二层氮化硅薄膜的厚度为18~24nm，折射率为2.0~2.1，第三层氮化硅薄膜的厚度为35~45nm，折射率为1.9~2.0。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜，其特征在于，所述的三层氮化硅减反射膜的厚度之和为72~77nm。

3.一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜的制备方法，是对经过清洗制绒，扩散制备PN结，刻蚀去除晶体硅四周的PN结，清洗去除磷硅玻璃的处理步骤后的晶体硅镀减反射膜，其特征在于，是利用等离子体增强化学气相沉积方法在硅片表面依次沉积三层氮化硅薄膜，它包括下面的步骤：

(1)对炉管抽真空，保持炉内温度420℃，压力50mTorr，时间为4min；

(2)对炉管进行预处理，温度升至460℃，氮气流量为10slm进行吹扫，后抽真空至压力为100mTorr并保持2min；

(3)压力测试，保证设备内部压力50mTorr恒定，保持0.5min；

(4)沉积第一层膜，温度为460℃，氨气流量为3.8~4slm，硅烷流量为950~1100sccm，射频功率5300~5600瓦，持续时间130~140s，射频器占空比设置为5ms开/50ms关；

(5)氮气5slm吹扫30s，抽真空至80mtor，沉积第二层膜，温度为450℃，氨气流量为6.8~7.2slm，硅烷流量为700~750sccm，射频功率5300~5600瓦，持续时间200~215s，射频器占空比设置为5ms开/50ms关；

(6)氮气5slm吹扫30s，抽真空至80mtor，沉积第三层膜，温度为450℃，氨气流量为7~7.2slm，硅烷流量为480~520sccm，射频功率5500瓦，持续时间340~350s，射频器占空比设置为5ms开/50ms关；

(7)氮气吹扫冷却，温度为420℃，氮气流量为6~10slm，压力为10000mTorr，吹扫时间5~8min。