[发明专利]使用了氧化物半导体的薄膜晶体管的制造方法及制造装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其是在基板上至少形成有栅极电极、源极电极、漏极电极、半导体层、栅极绝缘膜、且所述半导体层由非晶金属氧化物构成的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，其包含：

在含有氧的气氛中，

对基板上设置的所述氧化物，

照射包含生成活性氧的波长范围和将所述氧化物活化而除去混入所述氧化物中的氢的波长范围的光的工序A；和

在混入所述氧化物中的氢被除去且在所述氧化物附近生成了活性氧的状态下、照射包含将所述氧化物加热的波长范围的光以促进氧向所述氧化物内的扩散的工序B。

2.一种薄膜晶体管的制造装置，其是在基板上至少形成有栅极电极、源极电极、漏极电极、半导体层、栅极绝缘膜、且所述半导体层由非晶金属氧化物构成的薄膜晶体管的制造装置，其特征在于，包含：

对保持在含有氧的气氛中的所述薄膜晶体管进行光照射的至少1个第1灯、对所述薄膜晶体管进行光照射的至少1个第2灯、将从所述第1灯及第2灯放出的光反射至所述薄膜晶体管的反射镜、以及向所述第1灯及第2灯提供电力的供电装置，

所述第1灯是对基板上设置的所述氧化物放出包含生成活性氧的波长范围和将所述氧化物活化而除去混入所述氧化物中的氢的波长范围的光的灯；

所述第2灯是对基板上设置的所述氧化物、在混入所述氧化物中的氢被除去且在所述氧化物附近生成了活性氧的状态下、照射包含将所述氧化物加热的波长范围的光以促进氧向所述氧化物内的扩散的灯。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制造装置，其特征在于，

所述第1灯是放出包含波长为230nm以下的波长范围的光的稀有气体萤光灯，

所述第2灯是放出包含波长为800nm以上的波长范围的光的闪光灯。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制造装置，其特征在于，

所述薄膜晶体管的制造装置具有以从闪光灯放出的光不会照射到稀有气体萤光灯的方式进行遮光的遮光手段。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制造装置，其特征在于，

所述遮光手段是包围稀有气体萤光灯的一部分的第2反射镜。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制造装置，其特征在于，

所述遮光手段是设在所述反射镜的反射面的一部分上的突起部，

所述第1灯及第2灯中的一方以被所述突起部包围的方式配置，

所述第1灯及第2灯中的另一方配置在与所述反射镜的非突起部的平坦的反射面相向的位置上，

突起部的形状、以及被该突起部包围的一方的灯的配置位置、与反射镜的非突起部的平坦的反射面相向的另一方的灯的配置位置以从一方的灯放射的光不会照射到另一方的灯的方式来决定。

7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制造装置，其特征在于，

所述第1灯是放出包含波长为230nm以下的波长范围的光的闪光灯，

所述第2灯是放出包含波长为800nm以上的波长范围的光的闪光灯。