[发明专利]感光性胶粘剂、半导体装置及半导体装置的制造方法无效
申请号: | 201210369627.5 | 申请日: | 2008-12-02 |
公开(公告)号: | CN103021881A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 增子崇;川守崇司;满仓一行;加藤木茂树 | 申请(专利权)人: | 日立化成工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感光性 胶粘剂 半导体 装置 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及感光性胶粘剂、半导体装置及半导体装置的制造方法。
背景技术
在半导体安装领域中,基板与半导体芯片借助多个导电性凸块被连接的倒装片安装方式受到关注。倒装片安装方式中,因基于基板与半导体芯片的热膨胀系数差的应力,有时产生借助导电性凸块的基板与半导体芯片的连接异常。因此,已知为了缓和该应力而在基板与半导体芯片之间填充树脂来密封导电性凸块的方式(例如,专利文献1)。
专利文献1记载的半导体装置的制造方法中,在彼此对置的基板与半导体芯片之间配置多个导电性凸块与包括具有电绝缘性的树脂的树脂片。然后,通过加热及加压使树脂片熔融,在基板与半导体芯片之间利用树脂密封多个凸块。
专利文献1:专利第3999840号公报
发明内容
但是,在现有的倒装片安装方式中,有时树脂进入基板上的连接端子与导电性凸块之间或半导体芯片与导电性凸块之间。因此,借助导电性凸块的基板与半导体芯片的导通被抑制,有连接可靠性降低的问题。
为此,本发明的目的在于抑制借助导电性凸块的连接端子间的连接可靠性降低。
本发明的半导体装置的制造方法具备:第一工序,其在具有第一连接部的第一粘附体上设置感光性胶粘剂;第二工序,其通过曝光及显影使感光性胶粘剂形成图案,以形成第一连接部露出的开口;第三工序,其向开口填充导电材料来形成导电层;第四工序,其将具有第二连接部的第二粘附体直接胶粘于感光性胶粘剂,并且借助导电层将第一连接部与第二连接部进行电连接。
上述本发明的半导体装置的制造方法中,使用形成被图案化的绝缘树脂层的具有作为感光性树脂的功能的感光性胶粘剂,形成第一连接部露出的开口,在该开口填充导电材料。由此,由于在树脂不进入第一粘附体与导电层之间的状态下形成包括感光性胶粘剂的绝缘树脂层,所以能确保第一粘附体与导电层的导通,并抑制第一粘附体与导电层的连接可靠性降低。
另外,本发明的半导体装置的制造方法中,第一粘附体或第二粘附体的一方是包含多个半导体芯片的半导体晶片,另一方是基板,可以在第三工序与第四工序之间或第四工序之后还具备将半导体晶片按半导体芯片进行切割的工序。
本发明的半导体装置的制造方法中,使用在被图案化之后对第二粘附体具有胶粘性的感光性胶粘剂。因此,从可以特别容易地对图案化之后的感光性胶粘剂赋予相对第二粘附体的胶粘性来看,优选感光性胶粘剂含有碱可溶性聚合物、辐射聚合性化合物和光聚合引发剂。从同样的观点来看,碱可溶性聚合物较优选具有羧基或酚性羟基。
碱可溶性聚合物的玻璃化转变温度优选为150℃以下。由此,能在较低的温度下向第二粘附体贴附感光性胶粘剂。
碱可溶性聚合物优选为聚酰亚胺。聚酰亚胺优选为使四羧酸二酐与二胺反应得到的聚酰亚胺,所述二胺至少包括一种下述化学式(I-a)、(I-b)、(II-a)、(II-b)及(II-c)分别所示的芳香族二胺。
【化1】
本发明的半导体装置的制造方法中,优选感光性胶粘剂还含有热固性树脂。
本发明的半导体装置的制造方法中,感光性胶粘剂可以为膜状。
本发明的半导体装置可以通过上述半导体装置的制造方法得到。
根据本发明,能抑制借助导电性凸块的连接端子间的连接可靠性降低。另外,根据本发明,由于无需填充树脂来形成绝缘树脂层,所以能抑制填充树脂时产生的空气卷入所导致的空隙的发生。
附图说明
图1是表示半导体装置的一个实施方式的剖面图。
图2是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的剖面图。
图3是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的剖面图。
图4是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的剖面图。
图5是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的剖面图。
图6是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的剖面图。
图7是表示半导体装置的制造方法的其他实施方式的剖面图。
图中:1-半导体装置,3-基板(第一粘附体),5-半导体芯片(第二粘附体),7-绝缘树脂层,9-导电层,11-电路面,13-开口,17-半导体晶片。
具体实施方式
以下,详细说明本发明的优选实施方式。但是,本发明并不限定于以下实施方式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造