[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，

具有：

基板保持部，以使基板的主表面朝向上侧的状态保持基板；

处理液供给部，向上述基板的上述主表面供给处理液；

除电液供给部，将包含离子的液体或者纯水作为电阻率比上述处理液的电阻率大的除电液供给至上述基板的上述主表面；

电阻率设定部，用于设定上述除电液的目标电阻率；

控制部，通过控制上述处理液供给部以及上述除电液供给部，从而控制上述除电液中的离子浓度来将上述除电液的电阻率维持在上述目标电阻率，并且将上述除电液供给至上述基板的上述主表面上，使上述除电液充满上述基板的整个上述主表面，之后，将上述处理液供给至上述基板的上述主表面上来进行规定的处理。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述电阻率设定部中，在上述基板上预先形成的器件的尺寸越小设定越大的目标电阻率。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述电阻率设定部中，基于对上述基板进行的处理的种类来设定目标电阻率。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理液为将加热了的硫酸和双氧水进行混合的SPM液，上述规定的处理为SPM处理。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理液为缓冲氢氟酸，上述规定的处理为蚀刻处理。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

上述除电液为包含上述离子的液体，

包含上述离子的液体为在纯水中溶解有二氧化碳的液体。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，上述控制部通过控制溶解于上述纯水中的二氧化碳的量，来将上述除电液的电阻率维持在上述目标电阻率。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述除电液是在纯水中溶解有氨的液体，或者是在纯水中加入稀盐酸的液体。

9.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，

具有：

基板保持部，以使基板的主表面朝向上侧的状态保持基板；

处理液供给部，向上述基板的上述主表面上供给处理液；

除电液供给部，将电阻率比上述处理液的电阻率大的除电液供给至上述基板的上述主表面；

液体去除部，用于去除上述基板的上述主表面上的液体；

控制部，通过控制上述处理液供给部、上述除电液供给部以及上述液体去除部，将上述除电液供给至上述基板的上述主表面上，使上述除电液充满上述基板的整个上述主表面，之后，从上述主表面上去除上述除电液，然后，将上述处理液供给至上述基板的上述主表面上来进行规定的处理。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述液体去除部具有基板旋转机构，该基板旋转机构通过使上述基板以旋转轴为中心与上述基板保持部一同旋转，来去除上述主表面上的液体，其中，上述旋转轴经过上述基板的中心并且与上述基板的上述主表面相垂直。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，在上述基板旋转机构停止的状态下，或者使上述基板以比上述基板旋转机构去除上述主表面上的液体时的转速小的速度旋转的状态下，通过上述除电液对上述基板的整个上述主表面进行充满处理。

12.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述液体去除部具有IPA供给部，该IPA供给部通过向上述基板的上述主表面上供给液状的异丙醇，来将上述主表面上的液体从上述基板的边缘推向外侧并去除。

13.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理液为对加热了的硫酸和双氧水进行混合的SPM液，上述规定的处理为SPM处理。

14.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理液为缓冲氢氟酸，上述规定的处理为蚀刻处理。