[发明专利]选择性发射极电池的制备方法

权利要求书

1.一种选择性发射极电池的制备方法，依次包括损伤层的去除及绒面制备、扩散制作p-n结、表面PSG的去除及周边p-n结的去除、钝化减反射层的制备、金属化、以及分选，其特征在于，在所述扩散制作p-n结步骤与所述表面PSG的去除及周边p-n结的去除步骤之间进一步包括激光掺杂制作选择性发射极的步骤。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述激光掺杂制作选择性发射极的步骤包括：

利用激光照射硅片上欲金属化的区域，使所述区域内所掺杂的磷元素富集，形成所述选择性发射极。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述激光的功率为40～60W，脉冲宽度为50～200ns，波长为532nm，频率为0～260KHz，光斑的直径为10×190μm或270×270μm。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述激光的照射时间为0.5～2s。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述扩散制作p-n结的步骤中控制所述硅片的扩散方阻在90～100欧姆。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，通过调整所述激光能量的大小及频率控制经过所述激光辐射后的硅片方阻相对于所述激光辐照前降低35～45欧姆。