[发明专利]功放状态检测电路无效
申请号: | 201210372349.9 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN102857178A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 马新征;夏慈君;焦奕 | 申请(专利权)人: | 天津市北海通信技术有限公司 |
主分类号: | H03F1/52 | 分类号: | H03F1/52 |
代理公司: | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人: | 韩敏 |
地址: | 300384 天津市滨海新*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功放 状态 检测 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种电路,尤其是涉及功放状态检测电路。
背景技术
在经设计以发射信号的通信装置(例如蜂窝式装置)中,功率放大器电路通常用以放大所要信号以允许恰当发射。举例来说,功率放大器电路可用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术或双极结晶体管(BJT)技术加以实施。功率放大器电路可包含两个或两个以上级联增益级、一个驱动器级及一个功率级。功率级可包括CMOS晶体管或BJT晶体管。CMOS晶体管及BJT晶体管两者均具有击穿电压,击穿电压在被超过的情况下可能导致晶体管损坏。击穿电压为最大电压,其在跨晶体管的任何两个端子施加时可能导致晶体管损坏。存在可跨CMOS晶体管的漏极端子与源极端子施加或可跨BJT晶体管的集电极端子与发射极端子施加的最大电压。当超过击穿电压时,可能在晶体管中产生雪崩电流,所述雪崩电流导致较大电流流过晶体管,且因此导致热量显著增加,所述热量显著增加可能损坏晶体管且使晶体管性能降级。如果最大安全操作电压跨任何其它对晶体管端子(例如栅极到漏极电压或栅极到源极电压),则也可发生晶体管击穿。如果栅极到漏极电压或栅极到源极电压超过相应击穿电压,则发生栅极氧化物击穿方式。当从阳极经由晶体管的栅极氧化物层到阴极产生传导路径时,发生氧化物击穿。当用于功率放大器电路中的晶体管被损坏时,晶体管可能以不可预测的方式进行操作或根本中断操作。因此,在功率级中发生晶体管击穿电压会严重损害功率放大器电路可靠性。因此,在设计电路时要充分考虑如何实现功率放大器的保护。
发明内容
本发明要解决的问题是提供功放状态检测电路,尤其适合功率放大器的过压保护,欠压保护,过流保护,过温保护。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:功放状态检测电路,包括光电耦合器,所述光电耦合器一端接电,另一端接三极管的集电极,所述三极管的发射极经第一电阻接地;所述三极管的基极分两路,一路经第二电阻接地;另一路接第一稳压二极管,且第二稳压二极管与第一稳压二极管相并联。
本发明具有的优点和积极效果是:由于采用上述技术方案,仅采用三极管,稳压二极管,电阻实现。当电压高到设定的过压阈值时候,保护电路动作,将驱动电路关闭,停止工作,电压达到正常工作范围后,自动恢复正常工作。欠压保护跟过压保护相同,当电压低于设定的欠压阈值死后,保护电路动作,将驱动电路关闭,停止工作,电压达到正常工作范围后,自动恢复正常工作。在原有的控制电路上加入功放保护电路,具有结构简单,成本低廉、控制精确等优点。
附图说明
图1是本发明的电路图。
图中:
1、光电耦合器 2、三极管 3、第一电阻
4、第二电阻 5、第一稳压二极管 6、第二稳压二极管
具体实施方式
如图1所示,本发明提供功放状态检测电路,包括光电耦合器1,所述光电耦合器1一端接电,另一端接三极管2的集电极,所述三极管2的发射极经第一电阻3接地;所述三极管2的基极分两路,一路经第二电阻4接地;另一路接第一稳压二极管5,且第二稳压二极管6与第一稳压二极管5相并联。
本实例的工作过程:采用三极管,稳压二极管,电阻实现。当电压高到设定的过压阈值时候,保护电路动作,将驱动电路关闭,停止工作,电压达到正常工作范围后,自动恢复正常工作。当电压低于设定的欠压阈值死后,保护电路动作,将驱动电路关闭,停止工作,电压达到正常工作范围后,自动恢复正常工作。在功放的散热片上安装NTC,以监测功放的温度。NTC两端通过线缆连接控制主板。在控制主板上,运放将监测到的温度信号放大,由CPU进行AD变换,确定出功放的温度值。并将温度信息发送到ARM模块,在显示屏显示。当功放的温度高于70度时,自动切换主功放板与备功放板。
以上对本发明的一个实施例进行了详细说明,但所述内容仅为本发明的较佳实施例,不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
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