[发明专利]一种晶体硅太阳电池制备PN结的方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳电池制备PN结的方法，其特征在于包括如下步骤：1）在硅片表面均匀涂覆含磷的扩散源；2）在500℃-700℃的条件下预热处理5-10分钟将扩散源固化；3）将硅片叠在耐高温装片盒中；4）在800℃-1000℃的条件下将表面的磷扩散进入硅片形成所需的PN结。

2.如权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池制备PN结的方法，其特征在于：在硅片表面均匀涂覆含磷扩散源的方法为滚涂、喷涂或雾化涂覆；扩散源为磷酸溶液、磷酸和乙醇的混合溶液或含磷氧化物的凝胶溶液。

3.如权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池制备PN结的方法，其特征在于：将均匀涂覆上含磷扩散源的硅片一片片的传送至链式热处理炉中进行预热处理。

4.如权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池制备PN结的方法，其特征在于：将预热处理之后的硅片一片片水平装入装片盒中，硅片与硅片之间的距离为3mm-2cm，硅片之间的距离主要是为了让硅片在后续扩散工艺中受热均匀，并且有利于氧气的均匀流通，装片盒的材质为包括高纯石英在内的耐高温材料。

5.如权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池制备PN结的方法，其特征在于：将装有硅片的装片盒传送至隧道炉中或者装入高温热处理炉中，炉温为800-1000℃，炉内气氛中氧气流量为300sccm/min-3000sccm/min，扩散时间为1至3个小时。