[发明专利]掺氟氧化锡薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201210374374.0 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102839348A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 蓝德均;崔旭梅;黄双华;邹敏;陈孝娥 | 申请（专利权）人： | 攀枝花学院 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 梁鑫;高芸 |
| 地址： | 617000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
1.掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
a、将二氧化锡粉末和氟化物混合均匀，然后干燥；
b、用步骤a干燥后的混合物制得粉末靶，然后安装于溅射仪的射频靶上；将基底材料进行清洗、干燥后安装于溅射仪真空室的样品位置上；
c、开始溅射过程，制得掺氟氧化锡薄膜。
2.根据权利要求1所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于：步骤a中干燥的温度为50～300℃。
3.根据权利要求2所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于：步骤a中干燥的温度为100～200℃。
4.根据权利要求1所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于：溅射过程中，真空室气氛为0.5～10Pa的氩气，氩气供气压力为0.1～5MPa。
5.根据权利要求4所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于：预溅射时间为0.5~4h，正式溅射时间为20～50min，溅射功率为100～200W，靶距为15～40mm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于：所述粉末靶中氟的含量为0.1～2％。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于：步骤a中所述氟化物为氟化铵、氟氢化铵或氟化氢溶液中的至少一种。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于：步骤b中所述基底材料为玻璃、石英、硅晶片或高分子柔性基底。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于：步骤c制得掺氟氧化锡薄膜后将薄膜静置在空气中至少30分钟。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于：溅射过程中电源采用射频电源。
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