[发明专利]金属网导电薄膜的随机网格设计方法、导电膜及其制作方法有效
申请号: | 201210374440.4 | 申请日: | 2012-09-27 |
公开(公告)号: | CN102902856A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 高育龙;崔铮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50;H01B5/14;H01B13/00 |
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地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属网 导电 薄膜 随机 网格 设计 方法 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明属于导电膜领域,特别是涉及一种金属网导电薄膜的随机网格设计方法、导电膜及其制作方法。
背景技术
ITO(Indium tin oxide,氧化铟锡)层是触摸屏模组中至关重要的组成部分,由于传统工艺包括ITO镀膜、ITO图形化、导电银线制作,制作流程繁琐,因此良率控制困难,而且大量的ITO及金属材料会被浪费。相较ITO图形化工序的繁琐,使用印刷法直接在基材的指定区域形成金属网格,可以省去图形化的工艺过程,具有低污染、低成本等诸多优点。随着手机触摸屏超薄化、轻量化的发展趋势,柔性的图形化金属网导电膜得到广泛应用。日本公司大日本印刷、富士胶片和郡士,德国公司PolyIC,美国公司Atmel以及中国公司苏州纳格光电都分别使用印刷方法获得了性能优异的图形化金属网导电薄膜。
然而现有金属网格大多是形状规则的周期性网格,例如矩形网格、菱形网格等。由于LCD的像素单元也是形状规则的矩形单元,所以这类具有周期性金属网格的透明导电膜贴覆于LCD表面时会产生严重的莫尔条纹。另外,上述金属网格薄膜,一般都是在导电区域铺设形状规则的金属网格;而在绝缘区域没有金属网格。因此导电区域和绝缘区域之间必然存在透过率差异。这种透过率差异会导致用户可以隐约看到导电区域的图形,影响整体外观效果。
综上所述,现有技术的主要缺陷在于:
1、莫尔条纹现象:薄膜的导电区域是形状规则的网格,将这种金属网导电薄膜贴附于LCD表面时会出现较为明显的莫尔条纹,影响视觉效果;此外相同的原理,两张规则网格导电膜的贴合也会产生明显的莫尔条纹。这种现象无疑严重制约了具有金属网格的图形化透明导电膜的应用。
2、透过率差异:薄膜的导电区域具有金属网格,其透过率会按照网格线的遮光比衰减;但是绝缘区域没有金属网格,因此该区域的透过率一定大于导电区域。当应用于显示领域时,这种透过率差异会导致用户可以隐约看到导电区域的图形,影响整体外观效果。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的提供一种金属网导电薄膜的随机网格设计方法、导电膜及其制作方法,以解决莫尔条纹现象和透过率差异。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种金属网导电薄膜的随机网格设计方法,包括如下步骤:
、在二维平面空间直角坐标系中绘制一个规则图形,将该规则图形作为单元网格在二维平面中周期性排布,形成由单元网格组成的周期性网格;
、在步骤中所述单元网格内部定义可生成随机点的有效区域;
、在步骤中所述有效区域内部生成随机点;
、将步骤中所述随机点按一定规律相连,形成由不规则图形组成的随机网格。
优选的,在上述金属网导电薄膜的随机网格设计方法中,所述步骤中,所述规则图形为正方形、正六边形或圆形。
优选的,在上述金属网导电薄膜的随机网格设计方法中,所述规则图形为正方形时,所述步骤中,所述随机点连接方法为:将同一行相邻正方形内部的随机点相连,同一列相邻正方形内部的随机点也相连,形成由不规则四边形组成的随机网格。
优选的,在上述金属网导电薄膜的随机网格设计方法中,所述规则图形为正六边形时,随机网格设计方法包括:
(一)、在周期性网格中选取一个正六边形作为中心,在与该中心相邻的六个正六边形内部定义可生成随机点的有效区域;
(二)、在所述有效区域内生成随机点;
(三)、连接所述随机点,形成不规则的六边形。
本发明还公开了一种导电膜,印刷有上述的随机网格,包括导电区域和绝缘区域,所述导电区域和绝缘区域之间的间距小于等于10微米,所述随机网格形成于所述导电区域和绝缘区域上,且设于所述绝缘区域上的随机网格在节点处断开。
优选的,在上述的导电膜的制作方法中,包括如下步骤:
(1)以所述有效区域内部生成的随机点为圆心,r为半径,画圆;
(2)删除圆以内的线和点;
(3)删除圆本身的轨迹线。
优选的,在上述的导电膜的制作方法中,所述r的值小于等于25微米。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
1、本发明所提供用于金属网导电薄膜的随机网格设计方法,避免了不透光的金属网格线与LCD的周期性像素单元产生周期性遮蔽,进而在原理上避免了莫尔条纹的产生,突破了一直以来困扰金属网栅类透明导电膜应用于LCD表面的技术瓶颈;
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