[发明专利]一种高取向性二硒化钨纳米线的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210374547.9 申请日: 2012-09-29
公开(公告)号: CN102849692A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 李京波;孟秀清;李庆跃;李凯;汪林望;池旭明 申请(专利权)人: 浙江东晶光电科技有限公司
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;B82Y30/00
代理公司: 金华科源专利事务所有限公司 33103 代理人: 黄飞
地址: 321016 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 向性 二硒化钨 纳米 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高取向性二硒化钨纳米线的制备方法,其特征在于:采用两步反应法,首先以Na2WO4·2H2O和CH3CSNH2为反应溶质,以CTAB为络合剂,纯度为18兆欧以上的去离子水做反应溶剂,采用水热方法制备出WO2纳米线通过水热方法制备出了WO2纳米线,然后再将这种纳米线用纯度为99.9%以上的高纯硒硒化,获得了高取向性的二硒化钨纳米线。

2.根据权利要求书1所述的高取向性二硒化钨纳米线的制备方法,其特征在于:

A、采用水热方法,以Na2WO4·2H2O、CH3CSNH2为反应溶质,以CTAB为络合剂,纯度为18兆欧以上的去离子水做反应溶剂,将反应溶质和络合剂分别溶解后混合,并以NH3·H2O调节混合溶液的PH值至8-12,使混合溶液在160-220℃的反应釜中反应64-90小时,反应完毕后用用纯度为18兆欧以上的去离子水和无水乙醇分别对产物进行离心洗涤多次,将洗涤后的产物在80℃的真空中干燥,得到灰黑色WO2纳米线产物;

B、将反应所得到的WO2纳米线作为反应的钨源置于加热炉中,将一清洗干净的硅衬底置于WO2纳米线反应钨源的下端,将纯度为99.9%以上的高纯Se置于钨源的上端,加热炉进行多次预抽真空,同时通入高纯氩气进行清洗管道,直至将加热炉内空气完全排除干净并保持真空状态;

C、向处于真空状态的加热炉内通入一定量的高纯氩气,使炉子的压力保持在200-700Pa,同时将系统作为一个整体进行升温,使系统在

600-900℃反应3-7小时,整个反应过程中一直用机械泵对炉子进行抽气;

D、反应完毕,将系统冷却到100-150℃时,停止通高纯氩气,并停止对炉子进行抽气,同时将炉子两端密封;

E、系统冷却到室温后,取出样品,对样品进行结构、形貌等系列表征。

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