[发明专利]透明导电性薄膜有效
| 申请号： | 201210374585.4 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103035325A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 梨木智刚;拝师基希;野口知功;石桥邦昭;梶原大辅 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 | ||
1.一种透明导电性薄膜，其具备
薄膜基材、和
形成在所述薄膜基材上的透明导体图案、和
形成在所述薄膜基材上的、埋设所述透明导体图案的粘合剂层，
所述透明导体图案具有在所述薄膜基材上依次层叠有第一铟锡氧化物的晶体层和第二铟锡氧化物的晶体层的双层结构，
所述第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡含量比所述第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡含量多。
2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述第一铟锡氧化物的晶体层与所述第二铟锡氧化物的晶体层为通过加热处理而使铟锡氧化物的非晶体层结晶化的晶体层。
3.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述第一铟锡氧化物的晶体层的厚度比所述第二铟锡氧化物的晶体层的厚度薄。
4.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述薄膜基材的原材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚环烯烃、或聚碳酸酯。
5.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导体图案的厚度（所述第一铟锡氧化物的晶体层的厚度+所述第二铟锡氧化物的晶体层的厚度）为10nm~45nm。
6.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量为6重量%~15重量%，
所述第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量为1重量%~5重量%。
7.根据权利要求6所述的透明导电性薄膜，其中，所述第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量与所述第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量之差为3重量%~10重量%。
8.根据权利要求3所述的透明导电性薄膜，其中，所述第一铟锡氧化物的晶体层的厚度为3nm~15nm，所述第二铟锡氧化物的晶体层的厚度为7nm~30nm。
9.根据权利要求8所述的透明导电性薄膜，其中，所述第二铟锡氧化物的晶体层的厚度与所述第一铟锡氧化物的晶体层的厚度之差为1nm~15nm。
10.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述粘合剂层的折射率为1.45~1.50。
11.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述粘合剂层的厚度为10μm~500μm。
12.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，
设存在所述透明导体图案的部分的波长450nm~650nm的光的平均反射率为R1（%）、
设不存在所述透明导体图案的部分的波长450nm~650nm的光的平均反射率为R2（%）、
设ΔR（%）为所述平均反射率R1与所述平均反射率R2的差的绝对值时（ΔR=|R1-R2|），
所述ΔR为0.7%以下。
13.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导体图案的表面电阻率为不足150Ω/□。
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