[发明专利]一种多晶硅薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201210375067.4 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102856173A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 孙拓 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗建民;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）形成石墨烯层和非晶硅层，其中石墨烯层和非晶硅层相邻；
（2）使非晶硅晶化形成多晶硅，得到多晶硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）为：
在基底层上形成非晶硅层，在非晶硅层上形成石墨烯层。
3.根据权利要求2所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤（2）之后还包括：
步骤（3）经过灰化过程除去石墨烯层。
4.根据权利要求3所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中灰化过程为以氧气干法刻蚀灰化石墨烯层。
5.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）为：
在基底层上形成石墨烯层，在石墨烯层上形成非晶硅层。
6.根据权利要求5所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中形成的石墨烯层为p型石墨烯层。
7.根据权利要求1~6任意一项所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中的石墨烯层为2~10层的石墨烯，非晶硅层的厚度为40~50纳米。
8.根据权利要求1~6任意一项所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中使非晶硅晶化形成多晶硅的方法为高温炉法、脉冲快速热烧结法、准分子激光退火法中的任意一种。
9.根据权利要求8所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中非晶硅晶化形成多晶硅的方法为准分子激光退火法，其准分子激光的能量密度为50~500mJ/cm2，激光输出频率为3~10Hz。
10.一种多晶硅薄膜，其特征在于，其是由权利要求1~9中的任意一项所述的方法制备的。
11.一种阵列基板，其特征在于，其包括薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管阵列的有源区是由权利要求10所述的多晶硅薄膜形成的。
12.一种显示装置，其特征在于，其包括权利要求11中的阵列基板。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，其为液晶显示装置或有机电致发光显示装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
