[发明专利]传感器组件的压力传感器和压力端口之间的接头有效

专利信息
申请号: 201210375439.3 申请日: 2012-07-31
公开(公告)号: CN103033231A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: T·埃克哈德特;A·D·布拉德利;S·乔布;P·桑尼贾查拉姆;J·F·马基尔 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: G01F19/00 分类号: G01F19/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李晨
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 传感器 组件 压力传感器 压力 端口 之间 接头
【权利要求书】:

1.一种压力传感器子组件,包括:

承载器,所述承载器形成从所述承载器的第一端到所述承载器的第二端的流体路径;

包括压力感测元件的压力传感器,所述压力传感器被固定到所述承载器的第一端,使得所述压力感测元件与所述承载器的流体路径流体连通;

压力端口,所述压力端口具有从所述压力端口的外侧延伸到所述压力端口的内侧的流体路径,其中,所述压力端口的内侧通过粘合剂层被固定到所述承载器的第二端,使得所述压力端口的流体路径与所述承载器的流体路径流体连通;并且

所述承载器和压力端口中的一个或多个限定一个或多个间隔元件,所述一个或多个间隔元件限定两个基本平行的第一表面和/或两个基本平行的第二表面之间的间隔,其然后确定所述承载器和所述压力端口之间的粘合剂层的厚度。

2.根据权利要求1的压力传感器子组件,其中:

所述粘合剂层沿着所述压力端口的内侧和所述承载器的第二端的两个基本平行的第一表面之间的第一平面延伸,并且沿着所述压力端口的内侧和所述承载器的第二端的两个基本平行的第二表面之间的第二平面延伸,其中,所述第一平面至少基本垂直于所述第二平面。

3.根据权利要求1的压力传感器子组件,其中:

所述压力端口的内侧具有凹陷,所述凹陷由底壁和侧壁限定,其中,所述底壁与所述压力端口的流体路径相交,并且其中,所述底壁包括向上延伸的唇缘,所述向上延伸的唇缘围绕所述压力端口的流体路径延伸以至少部分地形成所述一个或多个间隔元件;

所述承载器的第二端具有端面和围绕所述端面的侧壁,其中,所述承载器的第二端延伸到所述压力端口的凹陷中,所述承载器的端面邻近于所述凹陷的底壁安置,并且所述承载器的侧壁邻近于所述凹陷的侧壁定位;并且

所述粘合剂层位于所述承载器的端面和所述凹陷的底壁之间。 

4.根据权利要求3的压力传感器子组件,其中,所述粘合剂层在所述凹陷的侧壁和所述承载器的第二端的侧壁之间向上延伸。

5.根据权利要求3的压力传感器子组件,其中,所述承载器的端面基本为平的并且接合所述底壁的向上延伸的唇缘,使得所述向上延伸的唇缘限定所述承载器的端面和所述凹陷的底壁之间的间隔。

6.根据权利要求3的压力传感器子组件,其中,所述承载器的第二端的端面具有由底壁和侧壁限定的凹陷,其中,所述承载器的第二端的端面中的凹陷的底壁与所述承载器的流体路径相交,并且其中,所述承载器的第二端的端面中的凹陷接收所述压力端口的向上延伸的唇缘的至少一部分。

7.根据权利要求6的压力传感器子组件,其中,所述承载器的第二端的端面中的凹陷的底壁接合所述压力端口的向上延伸的唇缘。

8.根据权利要求7的压力传感器子组件,其中,所述承载器和压力端口的几何形状被构造成限定所述一个或多个间隔元件,其限定所述承载器的端面和所述凹陷的底壁之间的间隔,和/或所述承载器和压力端口的几何形状被构造成限定所述承载器的侧壁和所述凹陷的侧壁之间的间隔。

9.一种压力传感器子组件,包括:

承载器,所述承载器形成从所述承载器的第一端到所述承载器的第二端的流体路径;

包括压力感测元件的压力传感器,所述压力传感器被固定到所述承载器的第一端,使得所述压力感测元件与所述承载器的流体路径流体连通;

压力端口,所述压力端口具有从所述压力端口的外侧延伸到所述压力端口的内侧的流体路径,其中,所述压力端口的内侧被固定到所述承载器的第二端,使得所述压力端口的流体路径与所述承载器的流体路径流体连通;

所述压力端口的内侧具有凹陷,所述凹陷由底壁和侧壁限定,其中,所述底壁与所述压力端口的流体路径相交;

所述承载器的第二端具有端面,所述端面包括具有突起的肩部,所述突起从所述肩部向外延伸,其中,所述突起围绕所述承载器的流体路径延伸并且限定所述承载器的流体路径的至少一部分;

所述承载器的肩部沿着或邻近所述压力端口的凹陷的底壁延伸,并且所述承载器的突起延伸到所述压力端口的流体路径中,使得所述承载器的流体路径与所述压力端口的流体路径流体连通;

位于所述承载器的肩部和所述压力端口的凹陷的底壁之间的粘合剂层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司,未经霍尼韦尔国际公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210375439.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top