[发明专利]TEM样品的制备方法有效
| 申请号： | 201210375596.4 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103698170A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 齐瑞娟;赵燕丽;段淑卿;陈柳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tem 样品 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种TEM样品的制备方法，包括：
通过切割从晶圆中截取初级样品；
对截取的所述初级样品进行激光标记以指定目标区域；
将初级样品放入聚焦等离子机台对指定的目标区域进行聚焦离子束切割，以得到在厚度方向上具有前后两个成像端面的样品；
对聚焦离子束切割后的样品进行离子减薄。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对聚焦离子束切割后的样品进行离子减薄的步骤包括：
将聚焦离子束切割后的样品黏附于支架，其中所述聚焦离子束切割后的样品的一个成像端面的局部与支架通过镀钨或镀铂黏附于所述支架；
将黏附有聚焦离子束切割后的样品的支架放置于PIPS机台；
对所述聚焦离子束切割后的样品的两个成像端面进行离子减薄。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对聚焦离子束切割后的样品的两个成像端面进行离子减薄包括：
使用氩离子源，以与所述聚焦离子束切割后的样品的两个成像端面成大于0°小于等于6°的夹角，进行10至20秒的离子减薄。
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