[发明专利]半导体器件及其操作方法

权利要求书

1.一种操作半导体器件的方法，包括以下步骤：

选择存储器单元阵列中所包括的多个存储器单元块中的一个；

对与选中的存储器单元块的字线中的选中的字线耦接的偶数编号的存储器单元进行编程；

对耦接到所述选中的字线的奇数编号的存储器单元进行编程；

对耦接到与所述选中的字线相邻的下一个字线的奇数编号的存储器单元进行编程；以及

对耦接到所述下一个字线的偶数编号的存储器单元进行编程，

其中，重复编程，直到完成对与所述选中的存储器单元块的所有字线耦接的选中的存储器单元的编程。

2.如权利要求1所述的方法，其中，对耦接到所述选中的字线的偶数编号的存储器单元进行编程的步骤包括以下步骤：

向所述选中的字线提供编程电压，使得耦接到所述选中的字线的偶数编号的存储器单元的阈值电压增加；

确定耦接到所述选中的字线的偶数编号的存储器单元的所有阈值电压是否均已达到目标电平；以及

如果，确定的结果为，确定出并非所有的阈值电压均已达到所述目标电平，则在逐渐升高所述编程电压的同时，重复地对耦接到所述选中的字线的偶数编号的存储器单元进行编程。

3.如权利要求1所述的方法，其中，对耦接到所述选中的字线的奇数编号的存储器单元进行编程的步骤包括以下步骤：

向选中的字线提供编程电压，使得耦接到所述选中的字线的奇数编号的存储器单元的阈值电压增加；

确定耦接到所述选中的字线的奇数编号的存储器单元的所有阈值电压是否均已达到目标电平；以及

如果，确定的结果为，确定出并非所有的阈值电压均已达到所述目标电平，则在逐渐升高所述编程电压的同时，重复地对耦接到所述选中的字线的奇数编号的存储器单元进行编程。

4.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

读取耦接到所述下一个字线的存储器单元；以及

当耦接到所述下一个字线的存储器单元未被编程时，使用第一读取电压读取耦接到所述选中的字线的存储器单元，而当耦接到所述下一个字线的存储器单元被编程时，使用比所述第一读取电压高的第二读取电压来读取耦接到所述选中的字线的存储器单元。

5.如权利要求4所述的方法，其中，读取耦接到所述下一个字线的存储器单元的步骤包括以下步骤：

使用所述第一读取电压读取耦接到所述下一个字线的存储器单元；以及

确定对耦接到所述下一个字线的存储器单元是执行了最低有效位LSB编程操作还是最高有效位MSB编程操作。

6.如权利要求5所述的方法，其中，

如果，确定的结果为，确定出对耦接到所述下一个字线的存储器单元执行了LSB编程操作，则使用所述第二读取电压读取耦接到所述选中的字线的存储器单元；并且

如果，确定的结果为，确定出对耦接到所述下一个字线的存储器单元执行了MSB编程操作，则使用比所述第二读取电压高的第三读取电压来读取耦接到所述选中的字线的存储器单元。

7.一种操作半导体器件的方法，包括以下步骤：

对耦接到第一字线的偶数编号的存储器单元进行编程；

对耦接到所述第一字线的奇数编号的存储器单元进行编程；

对耦接到与所述第一字线相邻的第二字线的奇数编号的存储器单元进行编程；

对耦接到所述第二字线的偶数编号的存储器单元进行编程；

对耦接到与所述第二字线相邻的第三字线的偶数编号的存储器单元进行编程；以及

对耦接到所述第三字线的奇数编号的存储器单元进行编程。

8.如权利要求7所述的方法，还包括以下步骤：

读取耦接到所述第二字线的存储器单元；以及

当耦接到所述第二字线的存储器单元未被编程时，使用第一读取电压读取耦接到所述第一字线的存储器单元，而当耦接到所述第二字线的存储器单元被编程时，使用比所述第一读取电压高的第二读取电压来读取耦接到所述第一字线的存储器单元。