[发明专利]一种离子注入附加掩膜的方法在审
| 申请号： | 201210375752.7 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102915915A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 赖朝荣;邓建宁;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 附加 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种离子注入附加掩膜的方法，用于多项目晶圆中，其特征在于，在所述多项目晶圆前增加一块掩膜板，并往所述多项目晶圆中注入N元素；所述N元素用于把所述多项目晶圆的硅表面非晶化。
2.如权利要求1所述的离子注入附加掩膜的方法，其特征在于，采用离子注入机台注入N元素。
3.如权利要求1所述的离子注入附加掩膜的方法，其特征在于，采用4种不同的剂量往所述多项目晶圆中注入N元素。
4.如权利要求3所述的离子注入附加掩膜的方法，其特征在于，在同一片所述晶圆的不同区域注入不同剂量的N元素。
5.如权利要求1-4中任意一项所述的离子注入附加掩膜的方法，其特征在于，具体步骤包括：
步骤a，采用离子注入机台，用所述附加掩膜离子注入N元素；
步骤b，在所述多项目晶圆上生长栅氧化层；
步骤c，根据所注入N元素的剂量类型，完成不同厚度的栅氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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