[发明专利]一种改进酸槽式硅片清洗设备内环境的方法

权利要求书

1.一种改进酸槽式硅片清洗设备内环境的方法，应用于硅片清洗工艺中，包括酸槽式硅片清洗设备，所述酸槽式硅片清洗设备内设置有药液槽，其特征在于，

在硅片清洗处理工艺前，于酸槽式硅片清洗设备内持续通入常况下化学性质较为稳定的电子级气体，以在进行硅片清洗处理工艺时保持纯净的气体环境。

2.根据权利要求1所述的改进酸槽式硅片清洗设备内环境的方法，其特征在于，在酸槽式硅片清洗设备内持续通入电子级气体的同时，保持酸槽式硅片清洗设备内外压差在5-50Pa。

3.根据权利要求1所述的改进酸槽式硅片清洗设备内环境的方法，其特征在于，所述电子级气体为氦气、氖气、氩气、氪气、氙气、氡气、氮气和/或氢气。

4.根据权利要求1所述的改进酸槽式硅片清洗设备内环境的方法，其特征在于，在进行硅片清洗处理工艺时保持纯净的所述气体环境中不含有氧气或颗粒物。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的改进酸槽式硅片清洗设备内环境的方法，其特征在于，在栅氧工艺前进行硅片清洗工艺时，于酸槽式硅片清洗设备内持续通入纯度为99.999％的电子级氮气，且所述酸槽式硅片清洗设备的内外压差为30Pa。

6.根据权利要求5所述的改进酸槽式硅片清洗设备内环境的方法，其特征在于，所述药液槽内采用稀释氢氟酸溶液对所述硅片进行清洗工艺。

7.根据权利要求1-4中任意一项所述的改进酸槽式硅片清洗设备内环境的方法，其特征在于，在浅沟槽隔离刻蚀工艺后进行硅片清洗工艺时，于酸槽式硅片清洗设备内持续通入高纯度的氦气，且所述酸槽式硅片清洗设备的内外压差为5Pa。

8.根据权利要求7所述的改进酸槽式硅片清洗设备内环境的方法，其特征在于，所述药液槽内采用稀释氢氟酸溶液、双氧水和硫酸混合溶液、氨水和双氧水混合物对所述硅片进行清洗工艺。