[发明专利]一种大电流密度、低电压功率型发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种大电流密度、低电压功率型发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：

1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面依次形成包括N型层、量子阱层及P型层的发光元件，并于所述发光元件中定义多个发光单元，且每相邻的两个发光单元组成一并联单元；

2）于各该发光单元制作N电极制备区域；

3）于上述结构表面制作掩膜版，所述掩膜版在各该并联单元内的两个发光单元交接处具有预设宽度的窗口；

4）对所述发光元件进行正划，于各该并联单元的交接处形成延伸至所述半导体衬底内且具有预设深度的裂片走道；

5）依据所述掩膜版采用感应耦合等离子ICP刻蚀法对上述结构进行刻蚀，以在各该并联单元内的两个发光单元交接处形成直至所述半导体衬底的隔离走道，同时于各该裂片走道及隔离走道侧壁形成粗化结构；

6）去除所述掩膜版；

7）于各该发光单元的P型层上表面制作透明导电层，于各该透明导电层表面制作P电极，并于各该N电极制备区域制备N电极；

8）从背面减薄所述半导体衬底，并于所述半导体衬底背面制作反射镜；

9）依据各该并联单元进行裂片，获得独立的并联单元。

2.根据权利要求1所述的大电流密度、低电压功率型发光二极管的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底为蓝宝石衬底，所述N型层为N-GaN层，所述量子阱层为InGaN层，所述P型层为P-GaN层。

3.根据权利要求1所述的大电流密度、低电压功率型发光二极管的制造方法，其特征在于：步骤2）中，先制作光刻掩膜版，然后采用ICP刻蚀法刻蚀所述P型层及量子阱层形成一N型层平台，以形成N电极制备区域。

4.根据权利要求1所述的大电流密度、低电压功率型发光二极管的制造方法，其特征在于：步骤3）所述的掩膜版为图形化的SiO₂层，且所述SiO₂层于各该并联单元中的两个发光单元交接处具有预设宽度的窗口。

5.根据权利要求1所述的大电流密度、低电压功率型发光二极管的制造方法，其特征在于：步骤4）中采用激光划片的方式对所述发光元件进行正划。

6.根据权利要求1所述的大电流密度、低电压功率型发光二极管及其制造方法，其特征在于：所述粗化结构为规则的波浪形微结构。

7.根据权利要求1所述的大电流密度、低电压功率型发光二极管的制造方法，其特征在于：所述预设深度为20~30微米。

8.根据权利要求1所述的大电流密度、低电压功率型发光二极管的制造方法，其特征在于：步骤8）中采用研磨或湿法腐蚀法减薄所述半导体衬底。

9.根据权利要求1所述的大电流密度、低电压功率型发光二极管的制造方法，其特征在于：步骤9）中采用刀片裂片的方式对各该并联单元进行裂片，获得独立的并联单元。

10.一种依据权利要求1~9任意一项所述的大电流密度、低电压功率型发光二极管的制造方法所制造的大电流密度、低电压功率型发光二极管。