[发明专利]发光二极管封装件及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年10月6日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0101741的优先权，其全部公开通过引用结合于此。

技术领域

本发明涉及发光二极管封装件及其制造方法。

背景技术

发光二极管（LED）是包括利用电能发光的材料的器件，在该材料中通过半导体结部分中的电子空穴复合而产生的能量被转换为要从该材料发出的光。LED通常被用作照明装置、显示装置等的光源，并由此已经促进了LED的开发。

尤其是近年来，氮化镓基LED的开发和使用已得到增长，并且使用这种氮化镓基LED的手机键盘、观景器、照相机闪光灯等已经商业化，并由此已促进了使用LED的一般照明装置的开发。就像应用了LED的诸如大型TV的背光单元、汽车前大灯、普通照明装置等产品一样，LED的目标逐渐向具有高输出和高效率的大尺寸产品靠拢，针对这种目的而使用的LED的特性需要满足高水平的LED特性。

在相关技术的LED中，在封装件主体上形成堰（dam），并随后（利用由堰保持在适当位置处的树脂等）对LED芯片进行密封，这里，可以形成的堰图案类型是有限的，使得难以制造具有多种类型的光提取表面图案的LED。

发明内容

本公开的一个方面提供了一种具有减小的产品成本、多种光提取表面图案和增强的照明强度的发光二极管（LED）封装件。

本公开的另一方面提供了一种用于制造上述LED封装件的方法。

根据本公开的一个方面，提供了一种发光二极管（LED）封装件，包括：封装件主体；安装在所述封装件主体上的LED芯片；疏水图案，其与所述LED芯片隔开地形成在所述封装件主体上；以及密封所述LED芯片的树脂单元，其中所述树脂单元由所述疏水图案限定。

所述疏水图案可以包括多个纳米结构。所述疏水图案可以包括：形成在所述封装件主体上的种子层图案；以及从所述种子层图案生长的多个纳米结构。

所述树脂单元可以包括荧光剂。所述树脂单元相对于所述封装件主体可以具有90°或更大的接触角。

所述疏水图案可以包括圆形、三角形、四边形和它们的任意组合。所述疏水图案可以包括以相同方式形成的至少两个被隔开的图案。

所述LED封装件还可以包括：密封所述树脂单元的透镜，其中所述透镜由所述疏水图案限定。所述透镜相对于所述封装件主体可以具有90°或更大的接触角。

所述疏水图案可以受到O₂等离子体或H₂等离子体处理，或者可以被氟碳化。

所述纳米结构可以由氧化锌（ZnO）基化合物制成。

所述种子层图案可以是金（Au）、铜（Cu）或它们的合金，或者可以是ZnO。

所述种子层图案可以具有交替地层叠金（Au）和铜（Cu）的多层结构。

根据本公开的另一方面，提供了一种发光二极管（LED）封装件，包括：封装件主体；安装在所述封装件主体上的LED芯片；亲水图案，其与所述LED芯片隔开地形成在所述封装件主体上；以及密封所述LED芯片的树脂单元，其中所述树脂单元由所述亲水图案限定。

所述亲水图案可以包括多个纳米结构。所述亲水图案可以受到O₂等离子体处理。

根据本公开另一方面，提供了一种用于制造发光二极管（LED）的方法，包括：在封装件主体上形成疏水图案；将LED芯片安装在由所述疏水图案形成的区域上；以及以树脂密封所述LED芯片。

所述疏水图案可以包括多个纳米结构。可以在种子层图案形成在所述封装件主体上之后，从所述种子层图案生长所述纳米结构。

所述种子层图案可以浸入(Zn(NO₃)₂·6H₂O)中，并且可以在所述种子层图案上形成ZnO纳米结构。

所述种子层图案可以由金（Au）、铜（Cu）或它们的合金制成，或者所述种子层图案可以由ZnO制成。

所述种子层图案可以形成为通过交替地层叠金（Au）和铜（Cu）而成为多层的。

所述方法还可以包括：对所述疏水图案执行O₂等离子体或H₂等离子体处理，或者将所述疏水图案氟碳化。

所述方法还可以包括：在形成密封LED芯片的树脂单元之后，在所述树脂单元上形成透镜。

所述纳米结构可以由氧化锌（ZnO）基化合物制成。