[发明专利]用于切割半导体工件的方法及设备

权利要求书

1.一种利用线锯来切割半导体工件的方法，包括：

将至少150牛顿的张力施加至线；

大致使所述线沿其长度移动；

使所述线与所述半导体工件接触以切割所述半导体工件；并且

切割所述半导体工件；其中，所述线的直径为1.5毫米或更小。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述线的所述直径为250微米或更大。

3.如权利要求1所述的方法，其中，从以下项构成的组中选择所述线：结构线、金刚石线、具有大于400微米的直径的结构线以及具有大于300微米的直径的金刚石线。

4.如权利要求2所述的方法，其中，从以下项构成的组中选择所述线：结构线、金刚石线、具有大于400微米的直径的结构线以及具有大于300微米的直径的金刚石线。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述线的所述长度为0.3公里或更长。

6.如权利要求2所述的方法，其中，所述线的所述长度为0.3公里或更长。

7.如权利要求3所述的方法，其中，所述线的所述长度为0.3公里或更长。

8.如权利要求5所述的方法，其中，所述线的所述长度为10公里或更长。

9.如权利要求1至5中任一项所述的方法，还包括：

在至少一个滑轮上引导所述线，其中

所述至少一个滑轮适于高张力线。

10.如权利要求1至5中任一项所述的方法，还包括：

在至少一个滑轮上引导所述线，其中

所述至少一个滑轮具有适于引导金刚石线的涂层。

11.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述半导体工件被切割为5件或更多，具体为10件或更多，更具体为25件或更多。

12.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述半导体工件被切割为少于100件，具体为少于50件。

13.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述半导体工件被切割为至少一块。

14.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，沿其长度移动所述线包括周期性地反向。

15.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述半导体工件以1500至7000微米/分钟的速率被切割。

16.如权利要求9所述的方法，其中，所述至少一个滑轮适于在约300牛顿的负载下或在约300牛顿的张力下使所述线偏斜少于0.1毫米。

17.如权利要求10所述的方法，其中，所述至少一个滑轮适于在约300牛顿的负载下或在约300牛顿的张力下使所述线偏斜少于0.1毫米。

18.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述线锯为剪切器或方切器。

19.一种线锯，其被构造用于锯割半导体材料，其包括：

卷轴杆，

至少一个滑轮，其适于引导具有1.5mm或更小的直径的线，

线管理系统，以及

张紧器，其中，所述张紧器适于将所述线张紧至150N或更高。

20.根据权利要求19所述的线锯，其中，所述线锯为方切器。