[发明专利]防核辐射防水卷材及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210376767.5 申请日: 2012-09-29
公开(公告)号: CN102977616A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 李文志;刘金景 申请(专利权)人: 北京东方雨虹防水技术股份有限公司
主分类号: C08L95/00 分类号: C08L95/00;C08L91/00;C08L53/02;C08K3/22;C08K3/38;E04B1/66;E04B1/92
代理公司: 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 代理人: 高萍
地址: 100123 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 核辐射 防水 卷材 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

[1]本发明涉及建筑物防水材料领域,尤其涉及一种防核辐射防水卷材及其制备方法。

背景技术

[2]随着核泄漏的发生,核安全越来越受到国人的重视。国家大型工程例如核电站、大坝、粮库、人防工程的核防护工作也越来越受到政府的重视,同时将核防护应用到民用工程特别是民用建筑工程上将是未来的建筑行业的一个发展趋势,防水材料作为建筑材料的一部分,在未来也应当具有核防护的功能。

[3]具有核防护功能的防水卷材,无论是在国内还是在国外市场均未出现,如果能够开发成功必将率先在大型国家人防工程,例如核电站、防空洞以及工业、农业和科研部门的放射性同位素设备的防护等得到大规模应用,之后将逐步扩展到民用建筑等。因此,提供一种防核辐射防水卷材是一个需要解决的技术问题。

发明内容

[4]为了解决现有技术中的问题,本发明提供了一种防核辐射防水卷材及其制备方法。

[5]本发明提供的防核辐射防水卷材,包含有下述组分:基质沥青,含量为55%~90%;软化剂,含量为0%~15%;聚合物,含量为1%~20%;和防核辐射添加剂,含量为0%~40%。

[6]本发明还提供了一种防核辐射防水卷材的制备方法,包括以下步骤:制备防核辐射改性沥青,向含量为55%~90%的基质沥青中添加含量为0%~15%的软化剂、含量为1%~20%的聚合物与含量为0%~40%的防核辐射添加剂;对所述防核辐射改性沥青采用聚酯作为胎基进行预浸、挤干、涂覆,覆铝箔制备卷材成品。

[7]本发明所提供了防核辐射防水卷材及其制备方法,通过向基质沥青中添加聚合物、防核辐射添加剂提高卷材的防水性能以及防核辐射性能。

具体实施方式

[8]下面将结合具体实施例对本发明作进一步的详细描述,但本发明不限于具体实施例。

[9]实施方式中,核辐射防水卷材包含基质沥青、软化剂、聚合物和防核辐射添加剂。其中,基质沥青含量为55%~90%,软化剂含量为0%~15%,聚合物的含量为1%~20%,防核辐射添加剂的含量为0%~40%。

[10]软化剂包括溶剂油、糠醛抽出油、芳烃油和减压馏分油中的一种和或多种混合物。防核辐射添加剂包括氧化铁、四氧化三铁和碳化硼中的一种和/或多种混合物。氧化铁、四氧化三铁和碳化硼在总量与防核辐射改性沥青的质量比0~40∶100的范围内任意混合。

[11]制备该核辐射防水卷材的步骤:首先,制备防核辐射改性沥青,向含量为55%~90%的基质沥青中添加含量为0%~15%的软化剂、含量为1%~20%的聚合物与含量为0%~40%的防核辐射添加剂。其中,基质沥青的针入度为80/0.1mm~100/0.1mm。然后,对防核辐射改性沥青采用聚酯作为胎基进行预浸、挤干、涂覆,覆铝箔制备卷材成品。

[12]实施例1

[13]在60份针入度为92的基质沥青中加入10份软化剂芳烃油,加热至160℃熔化混溶,再加入10份软化剂SBS(styrene-butadiene-styrene,苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段聚合物弹性体),采用胶体磨剪切至SBS完全溶胀于基质沥青中,在180℃条件下再加入15份防核添加剂氧化铁和5份防核添加剂碳化硼,搅拌2小时,制备好防核辐射改性沥青。采用长纤聚酯无纺布作为胎基,经过预浸、挤干、涂覆防核辐射改性沥青后覆铝箔,制成4mm的改性沥青卷材成品。防水等级满足GB 18242-2009I型4mm PY类标准,且其防核辐射性能中α、β、γ和中子射线的屏蔽率如下表1所示:

[14]    表1

[25]实施例2

[26]在60份针入度为92的基质沥青中加入10份软化剂芳烃油,加热至180℃熔化混溶,再加入10份软化剂SBS,采用胶体磨剪切至SBS完全混溶于沥青中,在180℃条件下再加入15份防核添加剂四氧化三铁和5份防核添加剂碳化硼,搅拌2小时,制备好防核辐射改性沥青。采用聚酯作为胎基,经过预浸、挤干、涂覆防核辐射改性沥青后覆铝箔,制成4mm的改性沥青卷材成品。防水等级满足GB 18242-2009I型4mm PY类标准,且其防核辐射性能中α、β、γ和中子射线的屏蔽率如下表2所示:

[27]    表2

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