[发明专利]一种分立简并模的二维光子晶体结构

权利要求书

1.一种分立简并模的二维光子晶体结构，其特征在于：所述二维光子晶体结构由若干个二维晶格单元周期排列组成，所述的二维晶格单元由相互平行的介质柱体（3）及缺陷介质柱体（4）在空气中按二维晶格排列，所述缺陷介质柱体（4）位于偏离上述二维晶格单元排列中心0.001mm～0.180mm处，所述的二维晶格单元的介质柱体至少五层，所述二维晶格的晶格常数为1mm。

2.如权利要求1所述的分立简并模的二维光子晶体结构，其特征在于：所述的二维光子晶体结构由一种或几种介电常数不同的多层单元叠加组成。

3.如权利要求1所述的分立简并模的二维光子晶体结构，其特征在于：所述晶格单元排列格子为平行四边形、矩形、正方形或六角形。

4.如权利要求3所述的分立简并模的二维光子晶体结构，其特征在于：所述晶格单元排列格子为正方形。

5.如权利要求1所述的分立简并模的二维光子晶体结构，其特征在于：上述介质柱体（3）及缺陷介质柱体（4）的横截面形状为圆形、椭圆形、正方形、矩形、三边形或六边形。

6.如权利要求5所述的分立简并模的二维光子晶体结构，其特征在于：上述介质柱体（3）及缺陷介质柱体（4）的横截面形状为圆形。

7.如权利要求6所述的分立简并模的二维光子晶体结构，其特征在于：所述缺陷介质柱体（4）与介质柱体（3）的横截面半径比为5:3。

8.如权利要求2所述的分立简并模的二维光子晶体结构，其特征在于：上述二维光子晶体结构是由半导体材料GaN和空气这两种介电常数不同的单元叠加而成的：其中，缺陷介质柱体（4）及介质柱体（3）材料为半导体材料GaN，其介电常数                                               ，空气的介电常数为，光子速度为。

9.如权利要求1所述的分立简并模的二维光子晶体结构，其特征在于：所述缺陷介质柱体（4）沿对角线方向偏离二维晶格单元排列中心的距离为0.085mm。