[发明专利]一种提高磁阀式可控电抗器响应速度的装置无效
| 申请号： | 201210376864.4 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102867629A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 尹忠东;刘海鹏;赵士硕;李和明 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | H01F27/42 | 分类号： | H01F27/42;H02J3/18 |
| 代理公司： | 北京华谊知识产权代理有限公司 11207 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 10220*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 磁阀式 可控 电抗 响应 速度 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高磁阀式可控电抗器响应速度的装置，其特征在于，包括电力系统（1）、MCR本体（2）、IGBT直流励磁控制电路、快速去磁电路（5）；MCR本体（2）的上下两输入输出端接入电力系统（1）；MCR本体（2）中包含两个铁芯,两个铁芯上分别绕有线圈L1 和L2、L3和L4，四组线圈为交叉并联结构，从每个铁芯上的上下两组线圈中间引出抽头，左边铁芯上下两抽头之间连接第一IGBT直流励磁控制电路（3），右边铁芯上下两抽头之间连接第二IGBT直流励磁控制电路（4）；四组线圈的交叉连接点之间接有快速去磁电路（5）；快速去磁电路（5）由续流二极管D8串联IGBT4，并在IGBT4两端反并联起保护作用的二极管D7，再在IGBT4和二极管D8组成的续流支路两端并联一个大功率电阻R和二极管D6和IGBT3串联构成的支路，并在IGBT3两端反并联起保护作用的二极管D6。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，IGBT直流励磁控制电路由IGBT、反并联在IGBT两端上起保护作用的二极管和起阻止电流反向流动作用的二极管串联构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华北电力大学，未经华北电力大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210376864.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
