[发明专利]半导体封装构造无效
| 申请号： | 201210376877.1 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102881667A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 洪志斌;翁肇甫;谢慧英 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 构造 | ||
1.一种半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造包含：
一基板，包含一上表面；
至少一芯片，位于所述基板的上表面并与所述基板电性连接；
一封装胶体，至少部分包覆所述芯片；及
一石墨烯层，设置在所述封装胶体上。
2.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述芯片具有一朝上的背面，所述封装胶体覆盖在所述芯片的背面。
3.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述芯片具有一朝上的背面，所述背面是裸露在所述封装胶体外，所述石墨烯层至少部分覆盖在所述芯片的背面。
4.如权利要求1至3任一所述的半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造包含数个环绕在所述芯片外围的转接元件，所述封装胶体还包括数个分别裸露所述转接元件的开口。
5.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述石墨烯层的厚度介于17微米至100微米之间。
6.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述石墨烯层为高热传导石墨膜。
7.一种半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造包含：
一基板，包含一上表面；
至少一芯片，位于所述基板的上表面并与所述基板电性连接；以及
一石墨烯层，设置在所述芯片的部分表面上。
8.如权利要求7所述的半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造包含数个芯片，每一所述芯片具有一有源表面，及对应侧的一背面，所述石墨烯层设置在所述芯片的有源表面或背面上。
9.如权利要求7所述半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造还包含一环状支撑件，及一散热片，所述环状支撑件设置在所述基板的上表面且环绕在所述芯片外围，所述散热片设置在所述环状支撑件上，所述石墨烯层设置在所述散热片的下表面，且所述石墨烯层接触所述环状支撑件与所述芯片的一朝上的背面。
10.如权利要求7所述的半导体封装构造，其特征在于：所述石墨烯层的厚度介于17微米至100微米之间。
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