[发明专利]具有改善的量子效率的光电探测器

权利要求书

1.一种辐射探测器模块，包含：

薄膜晶体管(TFT)阵列；

部署在所述薄膜晶体管（TFT）阵列之下的光电探测器，所述光电探测器包含：

部署在所述薄膜晶体管（TFT）阵列之下的阴极；

部署在所述阴极之下的活性有机元件；以及

部署在所述活性有机元件之下的阳极；其中所述阴极在面向所述活性有机元件的一面是反射的，以及其中所述阴极的反射面配置成将由闪烁器生成的光量子反射回所述活性有机元件；

部署在所述光电探测器之下的闪烁器衬底，其中所述闪烁器衬底吸收通过所述薄膜晶体管（TFT）阵列和所述光电探测器的辐射，并响应所吸收的辐射发射光量子，以及其中所述光电探测器吸收由所述闪烁器发射的光量子并响应所吸收的光量子生成电荷。

2.如权利要求1所述的辐射探测器模块，其中所述薄膜晶体管（TFT）阵列包含晶体管的阵列，每一个晶体管配置成接收由所述光电探测器生成的电荷。

3.如权利要求2所述的辐射探测器模块，其中所述晶体管的阵列中的每个晶体管对应于所述光电探测器的像素。

4.如权利要求2所述的辐射探测器模块，其中所述晶体管的阵列包含薄膜晶体管(TFT)的阵列。

5.如权利要求1所述的辐射探测器模块，包含粘合层，其中所述薄膜晶体管（TFT）阵列由所述的粘合层物理地结合到所述光电探测器。

6.如权利要求5所述的辐射探测器模块，其中所述粘合层是各向异性导电膏、各向异性导电膜、以及导电带中的一个或多个。

7.如权利要求5所述的辐射探测器模块，其中所述粘合层大体上在垂直于所述薄膜晶体管（TFT）阵列的平面的z方向中导电，并且在x方向或y方向中没有显著地导电。

8.如权利要求1所述的辐射探测器模块，其中所述阴极包含阴极接触垫的阵列，并且其中每个阴极接触垫对应于所述辐射探测器模块的一个像素。

9.如权利要求1所述的辐射探测器模块，其中所述阳极配置成透射从所述闪烁器冲击所述阳极的光量子的90%或更多。

10.如权利要求1所述的辐射探测器模块，其中所述闪烁器包含烧结或溅射沉积陶瓷、或者烧结或溅射沉积玻璃中的一个或多个。

11.如权利要求1所述的辐射探测器模块，其中所述闪烁器包含颗粒黏合闪烁器。

12.如权利要求1所述的辐射探测器模块，包含部署在所述闪烁器和所述光电探测器之间的平面化层，其中所述平面化层大体上是透明的。

13.如权利要求1所述的辐射探测器模块，包含反射器，其配置成反射由所述闪烁器朝部署在所述闪烁器之上的所述光电探测器发射的光量子。

14.一种制造辐射探测器的方法，所述方法包含：

形成闪烁器衬底；

在所述闪烁器衬底之上沉积阳极；

在所述阳极之上形成活性有机元件；

在所述活性有机元件之上形成阴极；以及

物理地结合像素元素的阵列到所述阴极；

其中所述阴极在面向所述活性有机元件的一面是反射的，以及其中所述阴极的反射面配置成将由所述闪烁器生成的光量子反射回所述活性有机元件。

15.如权利要求14所述的方法，其中在所述闪烁器衬底之上沉积所述阳极包含使用非图案化的沉积技术。

16.如权利要求14所述的方法，其中在所述阳极之上形成活性有机元件包含使用溶液处理、通过物理气相沉积、旋涂、或液体涂层技术中的一个或多个。

17.如权利要求14所述的方法，其中在所述活性有机元件之上形成所述阴极包含使用物理气相沉积或通过溅射涂层技术。

18.如权利要求14所述的方法，其中在所述活性有机元件之上形成所述阴极包含在所述阴极材料的沉积或溅射期间使用罩以形成阴极接触垫的阵列。

19.如权利要求18所述的方法，包含在所述像素元素的阵列上形成接触垫，其中配置所述接触垫的每一个以接触所述阴极接触垫中的一个。

20.如权利要求14所述的方法，其中物理地结合所述像素元素的阵列到所述阴极包含在所述阴极和所述像素元素的阵列之间的沉积粘合材料。