[发明专利]集成电路封装及其形成方法

说明书

技术领域

本公开涉及半导体领域，更具体地，涉及集成电路封装及其形成方法。

背景技术

在形成晶片级芯片尺寸封装结构过程中，首先在晶片中的半导体衬底的表面上形成集成电路器件，如晶体管。然后，在集成电路器件上方形成互连结构。在互连结构上方形成金属焊盘且该金属焊盘电连接至互连结构。在金属焊盘上方形成钝化层和第一聚酰亚胺层，且通过钝化层和第一聚酰亚胺层中的开口露出金属焊盘。

在第一聚酰亚胺层上形成晶种层，然后形成后钝化互连(PPI)线和焊盘。通过在晶种层上形成和图形化第一光刻胶、电镀第一光刻胶中开口的PPI线和焊盘、以及去除第一光刻胶，来形成PPI线和焊盘。去除之前被第一光刻胶覆盖的晶种层的部分。然后，在PPI线和焊盘上方形成第二聚酰亚胺层，然后形成延伸至所述第二聚酰亚胺层中开口的凸块下金属层(UBM)。该UBM电连接至PPI线和焊盘。然后，在该UBM上形成焊料凸块。

UBM的形成过程包括：形成UBM晶种层；形成并图形化第二光刻胶；在UBM晶种层上形成UBM；去除第二光刻胶；以及去除之前被第二光刻胶覆盖的UBM晶种层的部分。

在上述讨论的工艺步骤中，因为两个光刻胶先形成后再被去除，两层晶种层先形成后再被部分去除，所以制造成本很高。因此，采用模塑料代替第二聚酰亚胺层。在形成焊料凸块之后，再使用该模塑料，这样可以防止因压力而损坏焊料凸块。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种方法，包括：在晶片的衬底上方形成电连接件；模制聚合物层，其中，所述电连接件的至少一部分被模制在所述聚合物层中；执行第一锯切步骤，以在所述聚合物层中形成沟槽；以及在所述第一锯切步骤后，执行第二锯切步骤，以将所述晶片锯切成多个管芯。

其中，在所述第一锯切步骤后，所述沟槽的下方留有所述聚合物层的剩余部分。

其中，所述聚合物层的剩余部分薄到足以通过所述剩余部分看到所述聚合物层下面的部件，在所述第二锯切步骤过程中，所述部件用作对准标记。

其中，在所述第二锯切步骤中形成的锯缝与所述沟槽的中心部分重叠，所述锯缝的宽度小于所述沟槽的宽度。

其中，所述沟槽的一部分与所述晶片中的第一芯片和第二芯片之间的划线重叠。

其中，所述沟槽还与所述第一芯片中的第一密封环的一部分以及所述第二芯片中的第二密封环的一部分重叠。

其中，所述沟槽的侧壁是倾斜的，并且所述沟槽的底部基本平坦。

此外，还提供了一种方法，包括：在晶片的衬底上方形成后钝化互连件(PPI)；在所述PPI的上方形成电连接件且所述电连接件电连接至所述PPI；在所述PPI上方模制聚合物层，其中，所述电连接件的下部被模制在所述聚合物层中；执行第一锯切步骤，以在所述聚合物层中形成沟槽，其中，所述沟槽包括所述晶片的第一芯片和第二芯片间的划线中的一部分；以及在所述第一锯切步骤后，执行第二锯切步骤，以切透所述划线并使所述第一芯片和所述第二芯片相互分离，其中，在所述第二锯切步骤中形成的锯缝穿过所述沟槽的中间部分。

该方法进一步包括：在形成所述PPI的步骤之前，在金属焊盘的上方形成钝化层，其中，所述金属焊盘进一步位于所述衬底的上方；在所述钝化层中形成第一开口，其中，通过所述第一开口露出所述金属焊盘的一部分；在所述钝化层上方形成晶种层；在所述晶种层上方形成掩模，其中，所述掩模包括第二开口，所述第二开口与所述金属焊盘的一部分重叠；以及执行形成所述PPI的步骤，其中，所述PPI包括位于所述第二开口中的一部分。

其中，当执行所述第一锯切步骤和所述第二锯切步骤时，所述聚合物层是所述晶片的顶层。

其中，在所述第一锯切步骤之前，所述聚合物层下方的密封环不可见，在所述第一锯切步骤之后，在所述沟槽的下方剩余所述聚合物层的一部分，并且在所述第一锯切步骤之后，通过所述聚合物层的剩余部分可以看到所述密封环。

其中，所述沟槽与所述第一芯片中的第一密封环的一部分以及所述第二芯片中的第二密封环的一部分重叠。

其中，所述沟槽的侧壁是倾斜的，并且所述沟槽的底部基本平坦。

其中，在所述第二锯切步骤后，在所述聚合物层和所述第一芯片中形成凹槽环。

此外，还提供了一种芯片，包括：衬底；电连接件，位于所述衬底上方；聚合物层，覆盖所述衬底，其中，所述电连接件的下部位于所述聚合物层中；以及凹槽环，包括靠近所述芯片的边缘的部分，其中，所述聚合物层的一部分延伸到所述凹槽环的下方，并且所述凹槽环从所述芯片的边缘朝向所述芯片的中心向内延伸。