[发明专利]自对准双重图形的形成方法

权利要求书

1.一种自对准双重图形的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀层，所述待刻蚀层表面具有第一牺牲层，所述第一牺牲层的宽度与相邻第一牺牲层之间的距离相同；

在所述第一牺牲层两侧的待刻蚀层表面形成第一掩膜侧墙；

在所述待刻蚀层表面形成覆盖所述第一掩膜侧墙表面的第二牺牲层，所述第二牺牲层的表面与所述第一牺牲层的表面齐平；

在形成所述第二牺牲层之后，去除所述第一牺牲层，并暴露出待刻蚀层表面；

在去除所述第一牺牲层之后，在所述第二牺牲层和第一掩膜侧墙两侧的刻蚀层表面形成第二掩膜侧墙，所述第二掩膜侧墙的剖面形状与所述第一掩膜侧墙的剖面形状对称；

在形成第二掩膜侧墙之后，去除所述第二牺牲层。

2.如权利要求1所述自对准双重图形的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜侧墙和第二掩膜侧墙的材料为氮化硅，所述第一牺牲层的材料为氧化硅，所述第二牺牲层的材料为无定形碳。

3.如权利要求2所述自对准双重图形的形成方法，其特征在于，去除第一牺牲层的工艺为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的刻蚀液为氢氟酸。

4.如权利要求2所述自对准双重图形的形成方法，其特征在于，去除第二牺牲层的工艺为灰化工艺，所述灰化工艺的气体为氧气。

5.如权利要求1所述自对准双重图形的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜侧墙和第二掩膜侧墙的材料为氮化硅，所述第一牺牲层的材料为无定形碳，所述第二牺牲层的材料为氧化硅。

6.如权利要求5所述自对准双重图形的形成方法，其特征在于，去除第一牺牲层的工艺为灰化工艺，所述灰化工艺的气体为氧气。

7.如权利要求5所述自对准双重图形的形成方法，其特征在于，去除第二牺牲层的工艺为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的刻蚀液为氢氟酸。

8.如权利要求1所述自对准双重图形的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜侧墙的形成工艺为：在所述待刻蚀层和第一牺牲层表面沉积第一掩膜层；

回刻蚀所述第一掩膜层，直至暴露出所述待刻蚀层表面和所述第一牺牲层顶部为止，形成第一掩膜侧墙。

9.如权利要求1所述自对准双重图形的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜侧墙的形成工艺为：在所述待刻蚀层、第一掩膜侧墙和第二牺牲层表面沉积第二掩膜层；回刻蚀所述第二掩膜层，直至暴露出待刻蚀层表面和所述第二牺牲层顶部为止，形成第二掩膜侧墙。

10.如权利要求1所述自对准双重图形的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的形成工艺为：在所述待刻蚀层表面形成第一牺牲薄膜；在所述第一牺牲薄膜表面形成光刻胶层，所述光刻胶层定义了需要形成第一牺牲层的位置及形状，且所述光刻胶层的宽度与相邻光刻胶层之间的距离相同；以所述光刻胶层为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一牺牲薄膜，直至暴露出待刻蚀层为止。

11.如权利要求1所述自对准双重图形的形成方法，其特征在于，所述第二牺牲层的形成工艺为：在所述待刻蚀层、第一掩膜侧墙和第一牺牲层表面沉积第二牺牲薄膜；采用化学机械抛光工艺去除高于所述第一牺牲层表面的第二牺牲薄膜。

12.如权利要求1所述自对准双重图形的形成方法，其特征在于，所述待刻蚀层为半导体衬底。

13.如权利要求1所述自对准双重图形的形成方法，其特征在于，还包括：提供半导体衬底，所述待刻蚀层位于所述半导体衬底表面。

14.如权利要求13所述自对准双重图形的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底和待刻蚀层之间还包括：介质层和器件层中的一层或多层重叠。

15.如权利要求1所述自对准双重图形的形成方法，其特征在于，在去除所述第二牺牲层之后，以所述第一掩膜侧墙和第二掩膜侧墙为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层。