[发明专利]金属互连结构的形成方法在审
| 申请号： | 201210378741.4 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103715132A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;平延磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 形成 方法 | ||
1.一种金属互连结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底；
在所述半导体基底上形成介质层；
在所述介质层中形成通孔；
在介质层表面及所述通孔的侧壁和底部电镀至少一层金属层；
在通孔内填充满导电层，形成金属互连结构；
其中，在电镀完金属层后，对该金属层进行刻蚀，去除通孔顶部拐角处部分厚度的金属层。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述金属层为铜或镍。
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，在金属层为铜时，刻蚀金属层的工艺为在可溶性铜盐、氯化钠和强酸的混合溶液中通入氧气。
4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述强酸为硫酸或硝酸中的一种，所述可溶性铜盐为所述强酸的酸根所对应的铜盐。
5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，当强酸为硫酸时，可溶性铜盐为硫酸铜，所述硫酸铜的浓度范围为4.75g/L~5.25g/L，所述氯化钠的浓度范围为11.4g/L~12.6g/L，所述硫酸的质量百分比浓度范围为17.1%~18.9%。
6.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，当强酸为硝酸时，可溶性铜盐为硝酸铜，所述硝酸铜的浓度范围为5.51g/L~6.09g/L，所述氯化钠的浓度范围为11.4g/L~12.6g/L，所述硝酸的质量百分比浓度范围为47.5%~52.5%。
7.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，刻蚀金属层时，环境温度设置为20℃~30℃，通入的氧气的流量为40mL/min~60mL/min。
8.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，当金属层为铜时，电镀采用的电镀液包含硫酸铜、硫酸和水。
9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，电镀时间为10min~15min，刻蚀时间为10min~15min。
10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述通孔中填充满导电层后还包括步骤：对所述导电层及金属层进行化学机械研磨至露出介质层。
11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在每步电镀工艺之后及刻蚀工艺之后均包括清洗步骤，所述清洗采用去离子水进行。
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