[发明专利]新三层膜结构的光掩膜及其制备方法

权利要求书

1.一种新三层膜结构的光掩膜，包括玻璃基片、阻挡层、遮光膜层及减反射膜层，所述阻挡层、遮光膜层及减反射膜层依次镀在所述玻璃基片上，其特征在于：所述阻挡层、遮光膜层及减反射膜层三层膜中至少有一层含有碳成分。

2.根据权利要求1所述的新三层膜结构的光掩膜，其特征在于：所述阻挡层、遮光膜层及减反射膜层分别为铬氧化物阻挡层、铬碳氮化物遮光膜层与铬碳氮氧化物减反射膜层。

3.根据权利要求1所述的新三层膜结构的光掩膜，其特征在于：所述阻挡层、遮光膜层及减反射膜层分别为铬碳氮氧化物阻挡层、铬氮化物遮光膜层与铬碳氮氧化物减反射膜层。

4.根据权利要求1所述的新三层膜结构的光掩膜，其特征在于：所述阻挡层、遮光膜层及减反射膜层分别为铬碳氮氧化物阻挡层、铬碳氮化物遮光膜层与铬氮氧化物减反射膜层。

5.根据权利要求1所述的新三层膜结构的光掩膜，其特征在于：所述阻挡层、遮光膜层及减反射膜层分别为铬碳氮氧化物阻挡层、铬碳氮化物遮光膜层、铬碳氮氧化物减反射膜层。

6.根据权利要求1-5任一项所述的新三层膜结构的光掩膜，其特征在于：所述玻璃基片为钠钙玻璃基片、石英玻璃基片、硼硅玻璃基片或白冕玻璃基片。

7.根据权利要求5所述的新三层膜结构的光掩膜，其特征在于：所述铬碳氮氧化物阻挡层的厚度为所述铬碳氮化物遮光膜层的厚度为所述铬碳氮氧化物减反射膜层的厚度为

8.根据权利要求5所述的新三层膜结构的光掩膜，其特征在于，所述光掩膜具有如下光学参数：背面反射率BF％大于30％，光密度OD在450nm处为2.8-3.3，底部波长420-460nm，正面最低点反射率R％为9％-13％。

9.权利要求5、7或8所述的新三层膜结构的光掩膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)提供一个或多个Cr靶材，用真空磁控溅射方法将铬碳氮氧化物阻挡层镀在玻璃基片上形成带阻挡层的单层膜玻璃板，玻璃衬底温度为80-200℃，采用的制程气体为Ar，N₂，CO₂，O₂；

(2)用真空磁控溅射方法将铬碳氮化物遮光膜层镀在步骤(1)获得的单层膜玻璃板上形成带阻挡层和遮光膜层的双层膜玻璃板，采用的制程气体为Ar、CH₄、N₂；

(3)用真空磁控溅射方法将铬碳氮氧化物减反射膜层镀在步骤(2)获得的双层膜玻璃板上，采用的制程气体为Ar，N₂，CO₂，O₂。