[发明专利]一种原生硅的清洗方法

权利要求书

1.一种原生硅的清洗方法，其特征在于，包括：

a）将原生硅在草酸的水溶液中进行超声酸洗；

b）将所述超声酸洗的原生硅在清洗剂的水溶液中超声乳化；

c）将所述超声乳化的原生硅在水中进行超声水洗。

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在步骤a）之后，步骤b）之前还包括，除去所述超声酸洗的原生硅表面残留的草酸水溶液。

3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述除去所述超声酸洗的原生硅表面残留的草酸水溶液具体为：

将所述超声酸洗后的原生硅在水中超声清洗。

4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，步骤b）中超声乳化的次数为1~3次，每次使用的清洗剂的量为所述原生硅的体积重量百分比为0.23%~0.33%。

5.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗剂为硅片用清洗剂。

6.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，步骤c）中所述的超声水洗的次数为1~6次，水用量为原生硅用量的3~6倍。

7.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述超声酸洗、超声乳化和超声水洗中的超声震动强度大于0.42W/㎝²，温度为50~60℃。

8.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，整个清洗过程在半自动硅片清洗机中进行；

所述半自动硅片清洗机包括：机体；设置于机体上的若干清洗槽、所述清洗槽内部设置有超声震动装置和加热装置；

花篮，通过可伸缩机械臂连接于所述机体；所述花蓝通过机械臂的移动和伸缩能够实现在各清洗槽的进出；

所述花篮直径为25~40cm，高度为40~50cm。

9.根据权利要求7所述的清洗方法，其特征在于，所述花篮的个数为1~10个。

10.根据权利要求7所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗槽的个数为3~8个。