[发明专利]金红石结构氧化钛的制备方法及其叠层结构有效
| 申请号： | 201210379786.3 | 申请日： | 2012-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN103208477A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 谢君毅;威斯瓦那斯·保哈;詹妮佛·西格曼;瓦西尔·安托诺夫;徐薇惠 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/02;C01G23/047 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金红石 结构 氧化 制备 方法 及其 | ||
1.一种金红石结构氧化钛的叠层结构，其特征在于，包含：
一基板；
一第一氧化层，叠置于该基板上；
一第二氧化层，叠置于该第一氧化层上，该第二氧化层包含氧化镨；以及
一第三氧化层，叠置于该第二氧化层上，该第三氧化层包含氧化钛。
2.权利要求1所述的叠层结构，其特征在于，该第一氧化层含有钌以及氧化钌。
3.权利要求1所述的叠层结构，其特征在于，该第二氧化层的厚度介于0.1纳米至1.0纳米之间。
4.权利要求1所述的叠层结构，其特征在于，该基板为一电容的下电极，并包含RuSi、Ti、TiSi、TiN或TaN。
5.权利要求4所述的叠层结构，其特征在于，进一步包含一顶层，置放于该第三氧化层之上，其中该顶层为该电容的上电极，并包含RuSi、Ti、TiSi、TiN、或TaN。
6.一种金红石结构氧化钛的叠层结构的制备方法，其特征在于，包含下列步骤：
形成一氧化钌层于一基板上；
形成一氧化镨层于该氧化钌层之上；以及
形成一氧化钛层于该氧化镨层上；
其中形成于该氧化镨层上的氧化钛层具有一金红石结构。
7.权利要求6所述的制备方法，其特征在于，该氧化钌层的厚度介于4纳米至10纳米之间。
8.权利要求6所述的制备方法，其特征在于，形成该氧化镨层的步骤包含：
依次利用镨的前驱物与氧化剂，进行至少5个周期的原子层沉积步骤，以形成该氧化镨层，其厚度介于0.1纳米至1.0纳米之间。
9.权利要求8所述的制备方法，其特征在于，该镨的前驱物包含Pr(Cp)3，且该氧化剂包含臭氧。
10.权利要求6所述的制备方法，其特征在于，形成该氧化钛层的步骤包含：
依次利用钛的前驱物与氧化剂，进行一预定周期的原子层沉积步骤，以形成该氧化钛层，其厚度至少为5.0纳米；以及
其中在所述原子层沉积步骤中，该基板的温度保持于摄氏150度至摄氏500度之间。
11.权利要求10所述的制备方法，其特征在于，该钛的前驱物包含TiCl4、TTIP、TIMCTA或其混合物，且该氧化剂包含臭氧。
12.权利要求10所述的制备方法，其特征在于，形成该氧化钛层的步骤进一步包含一掺杂步骤，其依次使用钛的前驱物、掺杂物的前驱物、以及氧化剂于所述原子层沉积步骤中。
13.权利要求12所述的制备方法，其特征在于，该钛的前驱物包含TiCl4、TTIP、TIMCTA或其混合物，该掺杂物的前驱物包含TMA，且该氧化剂包含臭氧。
14.权利要求6所述的制备方法，其特征在于，形成该氧化镨层的步骤进一步包含一氧化处理步骤，该氧化处理步骤利用的气体包含氧气。
15.权利要求6所述的制备方法，其特征在于，进一步包含形成一顶层于该氧化钛层之上，其中该基板为一电容的下电极，且该顶层为该电容的上电极。
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