[发明专利]一步法相控合成SnS、SnS2或SnS/SnS2异质结纳米晶材料的方法

权利要求书

1.一种一步法相控合成SnS、SnS₂或SnS/SnS₂异质结纳米晶材料的方法，包括：

（1）前驱体的合成：将Sn盐溶解在乙醇中，Sn盐与乙醇的配比为1mmol：1~2ml，配成A溶液，将二乙基二硫代氨基甲酸钠溶于乙醇中，二乙基二硫代氨基甲酸钠与乙醇的配比为2mmol：1~2ml，配成B溶液，然后将所配好的A溶液全部滴加到B溶液中，搅拌1~2小时，抽滤，洗涤，得到Sn的有机前驱体，真空干燥备用；

（2）SnS、SnS₂或SnS/SnS₂异质结的相控合成：取上述Sn的有机前驱体，加入油胺，再加入CS₂溶液，有机前驱体、油胺、CS₂溶液的配比为0.2025g：4mL：0~300μL，将混合物转移至油胺中，在磁力搅拌、氮气保护下加热升温，除去水和溶解的氧气；然后继续升温至280℃~320℃，反应10~30min后，自然冷却至室温，将所得的沉淀用过量的乙醇洗涤分离，即得到所需要的纳米晶。

2.根据权利要求1所述的一种一步法相控合成SnS、SnS₂或SnS/SnS₂异质结纳米晶材料的方法，其特征在于：所述步骤（1）中的Sn盐为SnCl₂·2H₂O。

3.根据权利要求1所述的一种一步法相控合成SnS、SnS₂或SnS/SnS₂异质结纳米晶材料的方法，其特征在于：所述步骤（1）中的洗涤为水洗三次，乙醇洗两次。

4.根据权利要求1所述的一种一步法相控合成SnS、SnS₂或SnS/SnS₂异质结纳米晶材料的方法，其特征在于：所述步骤（2）中的加热升温具体为升温至120℃并保温半个小时。

5.根据权利要求1所述的一种一步法相控合成SnS、SnS₂或SnS/SnS₂异质结纳米晶材料的方法，其特征在于：所述步骤（2）中的纳米晶为SnS、SnS₂或SnS/SnS₂纳米晶。

6.根据权利要求1所述的一种一步法相控合成SnS、SnS₂或SnS/SnS₂异质结纳米晶材料的方法，其特征在于：所述步骤（2）中的Sn的有机前驱体：油胺：CS₂溶液=0.2025g：4mL：0μL得到SnS纳米晶；0.2025g：4mL：1μL＜Sn的有机前驱体：油胺：CS₂溶液＜0.2025g：4mL：300μL时得到SnS/SnS₂异质结纳米晶；Sn的有机前驱体：油胺：CS₂溶液≥0.2025g：4mL：300μL时得到SnS₂纳米晶。