[发明专利]EML激光器的电吸收反向偏置电压调优算法

权利要求书

1.一种EML激光器的电吸收反向偏置电压调优算法，其特征在于，该电吸收反向偏置电压调优算法包括以下步骤：

步骤1：设置电吸收反向偏置电压、光眼图交叉点、消光比、TEC温度、自动光功率控制的初始值；

步骤2：调整光眼图自动光功率控制的取值，TEC温度，交叉点，消光比，使得EML激光器的光眼图交叉点、消光比、输出光功率、工作波长满足使用要求；

步骤3：使用波长测试仪检测EML激光器工作波长是否处于使用要求范围内，如果波长处于使用要求范围内则进入步骤4，否则结束算法；

步骤4：测试偏置电流、输出光功率、消光比、光眼图交叉点和光眼图富裕量，如果偏置电流、输出光功率、消光比、光眼图交叉点和光眼图富裕量均满足设定的要求范围，则调试成功，此时的VEA值即为最优VEA值，否则进入步骤5；

步骤5：检测电吸收反向偏置电压VEA是否达到设定的电吸收反向偏置电压范围的最大值：

如果电吸收反向偏置电压未达到VEA范围的最大值，则逐渐增加VEA值，直至偏置电流、输出光功率、消光比、光眼图交叉点和光眼图富裕量均满足设定的要求范围，此时的VEA值即为最优VEA值；

如果电吸收反向偏置电压达到VEA范围的最大值，则检测偏置电流、输出光功率、消光比、光眼图交叉点和光眼图富裕量；如果偏置电流、输出光功率、消光比、光眼图交叉点和光眼图富裕量均满足设定的要求范围，则调试成功，此时的最大VEA值即为最优VEA值，否则算法结束。

2.根据权利要求1所述的EML激光器的电吸收反向偏置电压调优算法，其特征在于，所述步骤5中所述当电吸收反向偏置电压未达到VEA范围的最大值，则逐渐增加VEA值，直至偏置电流、输出光功率、消光比、光眼图交叉点和光眼图富裕量均满足设定的要求范围，其具体步骤包括：

步骤5-1：检测输出光功率和偏置电流，如果输出光功率和偏置电流均满足设定调测范围，则进入步骤5-2，如果输出光功率未达到设定范围最小值，则进入步骤5-5；

步骤5-2：检测消光比、光眼图交叉点和光眼图富裕量，如果消光比、光眼图交叉点和光眼图富裕量均满足设定的要求范围，则调试成功，此时的VEA值即为最优VEA值；否则进入步骤5-3；

步骤5-3：检测电吸收反向偏置电压是否达到设定的电吸收反向偏置电压范围的最大值，如果是则结束算法，否则进入步骤5-4；

步骤5-4：VEA=VEA+偏压步进，返回步骤2循环执行本操作，直至光眼图富裕量达到设定范围的最小值；

步骤5-5：VEA=VEA+偏压步进，返回步骤2循环执行本操作，直至偏置电流和输出光功率满足设定范围。

3.根据权利要求2所述的EML激光器的电吸收反向偏置电压调优算法，其特征在于，所述偏压步进为0.02V或0.05V或0.1V或0.15V。

4.根据权利要求1所述的EML激光器的电吸收反向偏置电压调优算法，其特征在于，所述步骤1中电吸收反向偏置电压的初始值为TOSA厂商建议的最小安全工作值。