[发明专利]侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种侧面粗化的倒装发光二极管，包括：

一上衬底和依次在上衬底上生长的一成核层和电子注入层，该电子注入层的一侧形成一台面；

一发光层，该发光层生长在电子注入层上；

一空穴注入层，该空穴注入层生长在发光层上；

一P电极，该P电极制作在空穴注入层上；

一N电极，该N电极制作在电子注入层的台面上，形成LED芯片；

一下衬底；

一绝缘层，该绝缘层生长在下衬底上；

一P线电极，该P线电极制作在绝缘层上面的一侧；

一N线电极，该N线电极制作在绝缘层上面的另一侧，形成倒装基板；

该LED芯片的P电极与倒装基板的P线电极通过金属焊球连接；该LED芯片的N电极与倒装基板的N线电极通过金属焊球连接。

2.根据权利要求1所述的侧面粗化的倒装发光二极管，其中上衬底的侧面为连续的粗化表面或不连续的粗化表面。

3.根据权利要求2所述的侧面粗化的倒装发光二极管，其中上衬底的材料为蓝宝石、Si、SiC、GaAs或玻璃，该上衬底的形状为矩形、梯形、半圆形或半球形。

4.根据权利要求1所述的侧面粗化的倒装发光二极管，其中下衬底的材料为硅片、陶瓷、线路板或金属板。

5.根据权利要求1所述的侧面粗化的倒装发光二极管，其中所述电子注入层的台面的深度小于电子注入层的厚度。

6.一种侧面粗化的倒装发光二极管的制作方法，包括如下步骤：

步骤1：在一上衬底的侧面进行粗化处理，形成连续的粗化表面或不连续的粗化表面；

步骤2：在上衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、电子注入层、发光层和空穴注入层；

步骤3：在空穴注入层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达电子注入层内，形成台面；

步骤4：在空穴注入层上面未刻蚀的一侧制作P电极；

步骤5：在电子注入层的台面上制备N电极，形成LED芯片；

步骤6：在一下衬底上生长一层绝缘层；

步骤7：在绝缘层上制作P线电极和N线电极，形成倒装基板；

步骤8：将LED芯片通过倒装焊或键合的方法倒装在倒装基板上，所述LED芯片的P电极与倒装基板的P线电极通过金属焊球连接；该LED芯片的N电极与倒装基板的N线电极通过金属焊球连接，完成制备。

7.根据权利要求6所述的侧面粗化的倒装发光二极管的制作方法，其中所述电子注入层的台面的深度小于电子注入层的厚度。

8.根据权利要求6所述的侧面粗化的倒装发光二极管的制作方法，其中所述下衬底的材料为硅片、陶瓷、线路板或金属板。

9.根据权利要求6所述的侧面结构的倒装发光二极管的制作方法，其中所述上衬底的侧面粗化，是用激光在上衬底的侧表面形成诱导形状，经腐蚀液腐蚀出三角形、菱形、圆形或多边形的粗化表面，所述粗化表面为连续的粗化表面或不连续的粗化表面。

10.根据权利要求9所述的侧面粗化的倒装发光二极管的制作方法，其中上衬底的材料为蓝宝石、Si、SiC、GaAs或玻璃，该上衬底的形状为矩形、梯形、半圆形或半球形。