[发明专利]用于纯化四氟化硅的方法

权利要求书

1.一种用于从四氟化硅气体中除去杂质的催化剂，所述催化剂包含：

具有表面的惰性基材，其选自氧化锆、水合硅酸铝、二氧化硅、氧化铝、氧化钇和它们的混合物，该惰性基材包含金属氧化物稳定剂，其中该金属氧化物稳定剂包含选自镧系元素、锕系元素、镁、钇、钙及其混合物的金属，惰性基材中稳定剂的量低于约0.1重量%；以及

催化金属氧化物，其包含惰性基材表面上或接近惰性基材表面处的选自铜、锰、铬、钴、铊、钼、银和它们的混合物的催化金属。

2.根据权利要求1所述的催化剂，其中所述催化金属氧化物包含选自铜、锰和它们的混合物的催化金属。

3.根据权利要求1或2所述的催化剂，其中所述惰性基材包括氧化锆、水合硅酸铝和它们的混合物。

4.根据权利要求1-3任一项所述的催化剂，其中所述惰性基材包含低于约0.1重量%的氧化钇作为稳定剂。

5.根据权利要求1-4任一项所述的催化剂，其中所述催化剂包含至少为约95重量%的惰性基材、低于约3重量%的催化金属。

6.根据权利要求1-5任一项所述的催化剂，其中所述催化剂包含约0.001重量%-约1.0重量%的催化金属。

7.根据权利要求1-6任一项所述的催化剂，其中所述催化剂包含约95重量%-约99.999重量%的惰性基材。

8.根据权利要求1-7任一项所述的催化剂，其中所述基材具有约1m²/g-约1000m²/g的表面积。

9.根据权利要求1-8任一项所述的催化剂，其中所述基材具有约30%-约80%的整体孔隙率。

10.根据权利要求1-9任一项所述的催化剂，其中所述基材具有约1%-约20%的微孔率。

11.一种用于制备包含惰性基材和惰性基材表面上或接近惰性基材表面处的催化金属氧化物的催化剂的方法，所述方法包括：

将催化金属浸渍在惰性基材的表面上或遍及大部分惰性基材，该惰性基材包含金属氧化物稳定剂，其中该金属氧化物稳定剂包含选自镧系元素、锕系元素、镁、钇、钙及其混合物的金属，惰性基材中稳定剂的量低于约0.1重量%；以及

将经金属浸渍的惰性基材加热至至少约250°C的温度以形成惰性基材表面上或接近惰性基材表面处的催化金属氧化物。

12.根据权利要求11所述的方法，其中将所述经金属浸渍的惰性基材加热至约250°C-约1000°C的温度。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其中所述惰性基材包含惰性金属氧化物并通过使包含惰性金属的第一金属卤化物与氢在氧和氢焰中反应以制备惰性基材粉末来制备。

14.根据权利要求13所述的方法，其中通过在第一金属卤化物与氢反应的同时使包含催化金属的第二金属卤化物与氢在氧和氢焰中反应而在整个惰性基材中浸渍所述催化金属。

15.根据权利要求11-14任一项所述的方法，其中通过将催化金属从金属盐溶液中沉淀至惰性基材上来将所述催化金属浸渍在惰性基材上。

16.根据权利要求11-15任一项所述的方法，其中所述催化金属氧化物包含选自铜、锰、铬、钴、铊、钼、银和它们的混合物的金属。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述催化金属氧化物包含选自铜、锰以及它们的混合物的金属。

18.根据权利要求11-17任一项所述的方法，其中惰性基材选自氧化锆、水合硅酸铝、二氧化硅、氧化铝、氧化钇和它们的混合物。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述惰性基材选自氧化锆、水合硅酸铝或它们的混合物。

20.根据权利要求11-19任一项所述的方法，其中所述惰性基材包含低于约0.1重量%的氧化钇作为稳定剂。

21.根据权利要求11-20任一项所述的方法，其中所述催化剂包含至少约95重量%的惰性基材、和低于约3重量%的催化金属。

22.根据权利要求11-21任一项所述的方法，其中所述催化剂包含约0.001重量%-约1.0重量%的催化金属。