[发明专利]一种提高半导体激光器寿命方法无效
申请号: | 201210380873.0 | 申请日: | 2012-10-10 |
公开(公告)号: | CN102882120A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 李再金;李特;芦鹏;王勇;乔忠良;李辉;曲轶;李林;邹永刚;魏志鹏;刘国军;薄报学;马晓辉 | 申请(专利权)人: | 长春理工大学 |
主分类号: | H01S5/00 | 分类号: | H01S5/00;H01S5/028 |
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地址: | 130022 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 半导体激光器 寿命 方法 | ||
1.一种提高半导体激光器寿命方法,其特征在于包括:半导体激光器bar条1,经等离子体技术处理的半导体激光器bar条2,钝化膜3,前腔面膜4,后腔面膜5,具体步骤如下:
步骤1:将解理好的半导体激光器bar条整齐的堆叠在专用的bar条夹具上,放入真空镀膜机里,抽取真空。当达到预定真空度时,采用等离子体技术,进行腔面清洗。
步骤2:采用钝化技术,在解理腔面上沉积一层钝化膜3。
步骤3:采用离子辅助技术和光学膜技术,制备高激光损伤阈值前腔面膜4和后腔面膜5。
2.根据权利要求1所述的一种提高半导体激光器寿命方法,其特征在于步骤1中所述的等离子体技术,进行腔面清洗,除去腔面的氧化膜和腔面不稳定表面态。
3.根据权利要求1所述的一种提高半导体激光器寿命方法,其特征在于步骤2中所述的钝化技术,使钝化膜3占据腔面易氧化状态,消除欲氧化状态,抑制腔面再次被氧化,防止形成腔面缺陷。
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