[发明专利]高压交流半导体发光二极管芯片的制造方法无效
| 申请号： | 201210380947.0 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN102891226A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 杨旅云;陈晓鹏;张宇欣;张国龙;吴东平;常志伟;薛进营;王明辉;夏成 | 申请（专利权）人： | 施科特光电材料(昆山)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/20;H01L25/075 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽;曾人泉 |
| 地址： | 215341 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 交流 半导体 发光二极管 芯片 制造 方法 | ||
1. 一种高压交流半导体发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）提供蓝宝石衬底
所述蓝宝石衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对应的第二表面，所述衬底包括平片衬底或PSS衬底；
（2）形成复式GaN半导体层
在步骤（1）的蓝宝石衬底的第一表面生长外延，形成PNP或NPN型的复式GaN半导体层；
（3）生长透明导电层和三个电极
在步骤（2）形成的GaN半导体层上通过光刻及刻蚀生长透明导电层以及NPN或PNP的三个电极；
（4）切割道的深刻蚀
在单颗芯片切割道上进行深刻蚀，直至蓝宝石衬底为止，实现单颗芯片光电特性的分离，得到电性分离的三角形芯片组；
然后，利用气相沉积法在侧壁生长二氧化硅钝化层，实现侧壁的填充；
（5）侧壁填充
在同一模块内相邻的芯片间蒸镀金属，使蒸镀的金属互联芯片的相应PN电极；
（6) 减薄蓝宝石衬底
在步骤（1）的蓝宝石衬底的第二表面的一侧减薄蓝宝石衬底；
（7）切割、裂片、扩膜
从所述蓝宝石衬底的第一表面沿集成模块切割道进行激光切割，从所述蓝宝石衬底的第二表面进行裂片，扩膜后得到分离的集成芯片——高压交流半导体发光二极管芯片。
2. 根据权利要求1所述的高压交流半导体发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，步骤（1）所述的蓝宝石衬底包括平片蓝宝石衬底或图形化蓝宝石基板。
3. 根据权利要求1所述的高压交流半导体发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，步骤（2）所述的在第一表面生长外延采用有机金属气相沉积法、分子束外延法、液相外延法或者气相外延法来完成。
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