[发明专利]一种化学浴沉积并硫化制备二硫化铁薄膜的方法有效
申请号: | 201210381063.7 | 申请日: | 2012-10-09 |
公开(公告)号: | CN102912322A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 蔡舒;余其凯;靳正国;燕子鹏 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C23C18/12 | 分类号: | C23C18/12 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 王丽 |
地址: | 300072 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 沉积 硫化 制备 二硫化铁 薄膜 方法 | ||
1.一种化学浴沉积并硫化合成FeS2薄膜的方法,其特征是步骤如下:
a)基底的预处理:将玻璃基底依次用丙酮、乙醇在超声清洗器中5-15分钟后,再用去离子水超声清洗5-15分钟,然后在浓度为1mol/L的盐酸溶液浸泡,备用;
b)将络合剂溶解于去离子水中,搅拌至全部溶解后,加入硫酸亚铁铵,络合剂与硫酸亚铁铵的摩尔比是2:1,持续搅拌溶液,得到完全澄清透明的溶液A;
c)向溶液A中加入氨水溶液调节pH值为7.5-9,得到溶液B;
d)向溶液B中逐滴加入硫代乙酰胺溶液,硫代乙酰胺与硫酸亚铁铵的摩尔比为2:1,并搅拌均匀,得到澄清透明溶液C,并将C溶液转移至反应容器中;
e)将步骤a得到的玻璃基底用去离子水冲洗后,垂直放入盛有C溶液的反应容器中,防止反应气体在基底表面形成气泡影响薄膜连续性,同时将反应器密封,防止氨水挥发,在50-80°C水浴条件下反应1-4小时,得到FeS先驱体薄膜;
f)将步骤e得到的先驱体膜和纯度为99.5%的升华硫粉依次放入石英管中,然后封装石英管。其中硫粉质量按80Kpa名义硫压计算,封装前通过反复充入惰性气体—抽真空过程置换残余气体,封装时抽真空至0.01Pa;然后将封装后的石英管置于有惰性气氛的加热炉中在400°C-500°C进行硫化反应1-5小时;并在降温速率为2.0~3.5°C min-1下进行冷却,获得纯度不低于99%的FeS2薄膜。
2.如权利要求1所述的方法,其特征是所述玻璃基底为导电玻璃ITO或普通玻璃载玻片。
3.如权利要求1所述的方法,其特征是所述络合剂为柠檬酸或丙二酸的一种。
4.如权利要求1所述的方法,其特征是所述惰性气氛为氮气或者氩气。
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