[发明专利]一种功率电子器件双面粘接结构及制备方法

权利要求书

1.一种功率电子器件双面粘接结构，其特征是在芯片与一侧基板之间设置有金属管层，金属管的数量大于等于2，金属管间的中心间距P大于金属管直径D，金属管长度L小于等于芯片尺寸；两块基板上涂刷的连接材料尺寸大于等于芯片尺寸。

2.如权利要求1所述的结构，其特征是所述的金属管材料为银或铜。

3.如权利要求1所述的结构，其特征是所述的连接材料为焊膏或焊料。

4.如权利要求2所述的结构，其特征是所述焊膏为纳米银焊膏或导电银胶，焊料为金锡焊料。

5.如权利要求1所述的结构，其特征是所述的结构包括一个上基板，一个下基板，三层连接材料，金属管子以及若干个厚度任意不等的多种芯片组成，芯片厚度相差不超过所选金属管子的管径；上基板通过连接材料与芯片直接相连，芯片另一侧通过连接材料与金属管相连，金属管又通过连接材料与下基板相连。

6.权利要求1的功率电子器件双面粘接结构的制备方法，其特征是先在两块基板及芯片上分别涂刷焊膏或导电胶，经干燥后，再在其中一块基板的连接材料上，粘接芯片未涂连接材料的一侧，在芯片连接材料上排布金属管，最后将附有连接材料的上基板连接到芯片与金属管及下基板部分，完成芯片双面粘接基板结构；进行连接材料的烧结成型，进行压力辅助烧结，将制成的芯片双面冷却结构放入平板热压机内，施加压力使上下基板平行以便于下一步封装，并同时进一步使管子发生变形，管子横截面变为近似椭圆形。

7.权利要求6所述的制备方法，其特征是所述的辅助烧结，烧结时间为5～15分钟，泄压后进一步烧结的烧结温度大于热压温度，烧结时间为5～10分钟。