[发明专利]一种微流控器件及其制备方法

权利要求书

1.一种微流控器件，其特征在于，包括衬底、涂覆于所述衬底上的缓冲层、附着于所述缓冲层上的压电层、光刻于所述压电层上的电极层、涂覆于所述电极层上的介质层以及涂覆于所述介质层上的疏水层。

2.如权利要求1所述的微流控器件，其特征在于，在所述压电层与所述电极层之间还包括附着于所述压电层表面的保护层。

3.如权利要求1所述的微流控器件，其特征在于，所述电极层中的电极包括：网状电极以及多个均匀排列分布于所述网状电极的四周的叉指换能器；所述网状电极由互相连接的电极块组成。

4.如权利要求3所述的微流控器件，其特征在于，所述网状电极通过排布引线引出焊盘，所述焊盘用于连接外部的脉冲高频电压。

5.如权利要求3所述的微流控器件，其特征在于，所述叉指换能器的电极结构为单叉指、双叉指、SPUDT结构或声聚焦型。

6.如权利要求1所述的微流控器件，其特征在于，所述叉指换能器的电极材料为钽、铝、银或金。

7.一种制备权利要求1-6任一项所述的微流控器件的方法，包括下述步骤：

S1：通过热氧化或溅射的方法在单晶硅衬底上形成SiO2缓冲层；

S2：通过溅射或激光脉冲沉积方法在所述SiO2缓冲层上形成压电层；

S3：通过蒸镀或溅射方法在所述压电层上形成金属电极层，并采用干法刻蚀成电极图形；

S4：通过常温氧化法在所述金属电极层上形成Ta2O5隔离层；

S5：在所述Ta2O5隔离层上涂覆Si3N4保护层；

S6：通过旋涂的方式在所述Si3N4保护层上形成疏水薄膜层；并烘焙后获得所述微流控器件。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在步骤S2中，所述压电层为ZnO层或AlN层；所述压电层的厚度为50nm-350nm。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在步骤S3中，所述金属电极层采用的电极材料为钽、铝、银或金。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在步骤S3中，所述电极图形由网状电极和多个均匀排列分布于所述网状电极四周的叉指换能器组成。