[发明专利]厚膜银浆及其在半导体装置制造中的用途无效

专利信息
申请号: 201210382463.X 申请日: 2012-10-10
公开(公告)号: CN103065700A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: K·W·韩;林育正;Y·王 申请(专利权)人: E·I·内穆尔杜邦公司
主分类号: H01B1/16 分类号: H01B1/16;H01B1/22;H01L31/0224;C03C3/145;C03C3/066;C03C3/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 朱黎明
地址: 美国特*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 厚膜银浆 及其 半导体 装置 制造 中的 用途
【权利要求书】:

1.厚膜浆料组合物,所述厚膜浆料组合物包含:

(a)35-55重量%的Ag;

(b)0.5-6重量%的玻璃料,所述玻璃料选自无铅铋型氧化物、无铅铋碲氧化物、铅碲氧化物以及它们的混合物;

(c)0.08-0.4重量%的选自树脂酸铑、Cr2O3以及它们的混合物的组分;和

(d)有机介质;

其中所述Ag、所述玻璃料以及选自树脂酸铑、Cr2O3以及它们的混合物的所述组分分散在所述有机介质中,并且其中所述重量%是基于所述浆料组合物的总重量计的。

2.权利要求1的厚膜浆料组合物,所述厚膜浆料组合物包含小于65重量%的无机组分,所述无机组分包含所述Ag、所述玻璃料以及任何其它无机添加剂,其中所述重量%是基于所述厚膜浆料组合物的总重量计的。

3.权利要求1的厚膜浆料组合物,所述玻璃料包含无铅铋型氧化物,所述无铅铋型氧化物包含基于所述铋型氧化物的总重量计66-78重量%的Bi2O3、10-18重量%的ZnO、5-14重量%的B2O3、0.1-5重量%的Al2O3、0.3-9重量%的BaO和0-3重量%的SiO2

4.权利要求1的厚膜浆料组合物,所述玻璃料包含无铅铋型氧化物,所述无铅铋型氧化物包含基于所述铋型氧化物的总重量计62-74重量%的Bi2O3、6-15重量%的ZnO、5-17重量%的B2O3、0.1-8重量%的Al2O3、1.5-12重量%的SiO2和0-0.7重量%的CaO。

5.权利要求1的厚膜浆料组合物,所述玻璃料包含无铅铋碲氧化物,所述无铅铋碲氧化物包含基于所述铋碲氧化物的总重量计22-42重量%的Bi2O3和58-78重量%的TeO2

6.权利要求1的厚膜浆料组合物,所述玻璃料包含铅碲氧化物,所述铅碲氧化物包含基于所述铅碲氧化物的总重量计25-65重量%的PbO和35-75重量%的TeO2

7.包括电极的半导体装置,所述电极由权利要求1的浆料组合物形成,其中所述浆料组合物经焙烧以除去所述有机介质并且形成所述电极。

8.包括电极的太阳能电池,所述电极由权利要求1的浆料组合物形成,其中所述浆料组合物经焙烧以除去所述有机介质并且形成所述电极。

9.权利要求8的太阳能电池,其中所述电极是所述太阳能电池的背面上的插片电极。

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