[发明专利]一种低压差线性稳压器

权利要求书

1.一种低压差线性稳压器，其特征在于，包括：

误差放大器，所述误差放大器为双端输入双端输出的全差分误差放大器，用于将反馈电压与参考电压进行比较以生成残差信号并将所述残差信号放大，其中，所述参考电压为所述误差放大器的正输入信号；

第一功率器件，用于为负载提供负载电流，其中，所述第一功率器件的输入端与所述误差放大器的正输出端相连，所述第一功率器件的输出端为所述误差放大器提供负输入信号以及为共模反馈电路提供第一共模电平；

第二功率器件，所述第二功率器件与所述第一功率器件的结构一致，并且所述第二功率器件中器件的宽长比为所述第一功率器件中器件的宽长比的1/N，其中N>1，其中，所述第二功率器件的输入端与所述误差放大器的负输出端相连，所述第二功率器件的输出端为所述共模反馈电路提供第二共模电平；以及

所述共模反馈电路，所述共模反馈电路根据所述第一共模电平、所述第二共模电平以及参考电压进行计算并生成共模控制信号，以及输出所述共模控制信号给所述误差放大器。

2.如权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述误差放大器进一步包括：

第一NMOS管和第二NMOS管，其中，所述第一NMOS管的栅极接第一偏置电压，所述第二NMOS管的栅极接所述共模控制信号，所述第一NMOS管与第二NMOS管的源极接地；

第三NMOS管和第四NMOS管，其中，所述第三NMOS管和第四NMOS管的源极与所述第一NMOS管和第二NMOS管的漏极相连，所述第三NMOS管的栅极与所述误差放大器的正输入信号相连，所述第四NMOS管的栅极与所述误差放大器的负输入信号相连；

第五NMOS管和第六NMOS管，其中，所述第五NMOS管的源极与所述第三NMOS管的漏极相连，所述第六NMOS管的源极与所述第四NMOS管的漏极相连，所述第五NMOS管和第六NMOS管的栅极接第二偏置电压，所述第五NMOS管的漏极接所述负输出端，所述第六NMOS管的漏极接所述正输出端；以及

第一PMOS管和第二PNMOS管，其中，所述第一PMOS管的漏极与所述第五NMOS管的漏极相连，所述第二PMOS管的漏极与所述第六NMOS管的漏极相连，所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极接电源，所述第一PMOS管和第二PMOS管的栅极接第三偏置电压。

3.如权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述共模反馈电路进一步包括：

第三PMOS管和第四PMOS管，其中，所述第三PMOS管和第四PMOS管的源极接电源，所述第三PMOS管和第四PMOS管的栅极接第四偏置电压；

第五PMOS管和第六PMOS管，其中，所述第五PMOS管的源极与所述第六PMOS管的源极和第三PMOS管的漏极相连，所述第五PMOS管的栅极接所述共模反馈电路的所述第一共模电平，所述第六PMOS管的栅极接所述共模反馈电路的参考电平；

第七PMOS管和第八PMOS管，其中，所述第七PMOS管的源极与所述第八PMOS管的源极和第四PMOS管的漏极相连，所述第七PMOS管的栅极接所述共模反馈电路的所述第二共模电平，所述第八PMOS管的栅极接所述共模反馈电路的参考电平；

第七NMOS管，其中，所述第七NMOS管的源极接地，所述第七NMOS管的栅极与所述第七NMOS管的漏极相连，再与所述第六PMOS管和第八PMOS管的漏极相连，作为所述共模反馈电路的共模输出端，以输出所述共模控制信号给所述误差放大器；以及

第八NMOS管，其中，所述第八NMOS管的源极接地，所述第八NMOS管的栅极与所述第八NMOS管的漏极相连，再与所述第五PMOS管和第七PMOS管的漏极相连。

4.如权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，还包括：

第一分压电阻和第二分压电阻，其中，所述第一功率器件的输出端经过所述第一分压电阻和所述第二分压电阻接地，所述第一分压电阻与第二分压电阻之间具有第一节点，所述第一节点提供所述第一共模电平和所述负输入信号；

第三分压电阻和第四分压电阻，其中，所述第二功率器件的输出端经过所述第三分压电阻和所述第四分压电阻接地，所述第三分压电阻与第四分压电阻之间具有第二节点，所述第二节点提供所述第二共模电平，

其中，第一分压电阻:第三分压电阻=第二分压电阻:第四分压电阻=1:N。