[发明专利]自锁圆片键合结构及制作方法

权利要求书

1.一种自锁圆片键合结构，其特征在于，所述自锁圆片键合结构包括设有凹槽结构的键合下圆片以及设有凸台结构的键合上圆片；所述键合下圆片与所述键合上圆片通过所述凹槽结构与凸台结构的配合键合镶嵌在一起，形成自锁结构。

2.根据权利要求1所述的自锁圆片键合结构，其特征在于，所述凸台结构的高度大于或等于凹槽结构的深度。

3.根据权利要求1所述的自锁圆片键合结构，其特征在于，所述凹槽结构内设有键合材料层，所述键合材料层的厚度与所述凸台结构的高度之和大于或等于所述凹槽结构的深度。

4.根据权利要求1所述的自锁圆片键合结构，其特征在于，所述凹槽结构或所述台外设有键合材料层，所述键合材料层的厚度小于所述凸台结构的高度；所述凸台结构与所述凹槽结构接触配合。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的自锁圆片键合结构，其特征在于，所述键合下圆片上设有电路结构；所述键合上圆片上设有传感器微结构。

6.一种自锁圆片键合结构制作方法，其特征在于，该制作方法包括以下步骤：

1）在键合下圆片上制作凹槽结构；

2）在键合上圆片上制作凸台结构；

3）将键合下圆片和键合上圆片进行对准键合。

7.根据权利要求6所述的自锁圆片键合结构制作方法，其特征在于，在形成步骤1）中的凹槽结构后在其内部沉积形成第一键合材料层；在形成步骤2）中的凸台结构后在其上部沉积形成第二键合材料层；所述第一键合材料层、第二键合材料层的厚度和与所述凸台结构的高度之和大于或等于所述凹槽结构的深度。

8.根据权利要求6或7所述的自锁圆片键合结构制作方法，其特征在于，所述步骤1）上的键合下圆片上设有第一薄膜层，所述凹槽结构形成于该第一薄膜层中；所述步骤2）上的键合上圆片上设有第二薄膜层，所述凹槽结构形成于该第二薄膜层中。

9.根据权利要求6所述的自锁圆片键合结构制作方法，其特征在于，所述步骤1）在键合下圆片上制作凹槽结构之前还包括制备电路结构的步骤；所述步骤2）在键合上圆片上制作凸台结构之前还包括制备传感器微结构的步骤。