[发明专利]CdTe@SiO2量子点表面单胺类神经递质分子印迹聚合物的制备方法

权利要求书

1.  CdTe/SiO₂量子点表面单胺类神经递质分子印迹聚合物的制备方法，步骤如下：

（1）CdTeSiO₂量子点的制备：

称取碲粉、NaBH₄于反应容器中，在氮气氛围下，注入新煮沸放冷的蒸馏水，搅拌，反应，得到淡粉色NaHTe溶液，备用；

在另一反应容器中加入蒸馏水，然后依次加入 Cd²⁺母液、巯基丙酸，调节pH 9.0-10.0，加热至90~100℃时，将NaHTe溶液导入，反应液总体积控制在75~300 mL，搅拌混合均匀，缓慢注入正硅酸四乙酯，在氮气的保护下于90~100℃回流反应4~8 h，将所得反应液旋转蒸发至水挥发完毕，用无水乙醇洗去未反应的物质，得到CdTeSiO₂量子点，粒径10~20 nm； 

（2）CdTeSiO₂MIPs的制备：

将步骤（1）制备得到的CdTeSiO₂量子点加入到25~60 mL致孔剂中，超声分散均匀，通氮除氧；

加入模板分子，搅拌，待模板分子全部溶解后依次加入功能单体和交联剂，使用氨水催化，在氮气保护下，搅拌反应16~24 h；将反应液离心，弃去上清；所得固体先用致孔剂洗涤，然后用二次水洗涤至无模板分子残留，得到CdTeSiO₂MIPs。

2.根据权利要求1所述的CdTe/SiO₂量子点表面单胺类神经递质分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述Cd²⁺母液的浓度为0.25 mol·L^-1 ，反应体系中Cd^2＋浓度为5×10^-3 mol·L^-1；Cd^2＋、NaHTe、巯基丙酸、正硅酸四乙酯的摩尔比是1: 0.3~0.8: 4.8: 10。

3.  根据权利要求1所述的CdTe/SiO₂量子点表面单胺类神经递质分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于，步骤（2）致孔剂为无水乙醇与水1~4: 1体积比的混合物；所述模板分子的浓度为0.02~0.08 mol·L^-1；模板分子、功能单体、交联剂的摩尔比为1: 2~6: 4~10；所述模板分子为单胺类神经递质L-去甲肾上腺素、L-肾上腺素、5-羟色胺、多巴胺中的任一种。

4. 根据权利要求1所述的CdTe/SiO₂量子点表面单胺类神经递质分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于，步骤（2）功能单体为氨丙基三乙氧基硅烷，交联剂为正硅酸四乙酯。