[发明专利]导电性高分子悬浊液及其制造方法、导电性高分子材料、固体电解电容器及其制造方法无效
申请号: | 201210382857.5 | 申请日: | 2012-10-10 |
公开(公告)号: | CN103044689A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 铃木聪史;信田知希;菅原康久;富冈泰宏 | 申请(专利权)人: | NEC东金株式会社 |
主分类号: | C08G85/00 | 分类号: | C08G85/00;C08G73/06;C08G61/12;C08G73/02;C08K5/42;C08L25/18;H01G9/025 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性 高分子 悬浊液 及其 制造 方法 高分子材料 固体 电解电容器 | ||
1.一种导电性高分子悬浊液的制造方法,其特征在于,所述方法包括如下工序:
在含有由有机酸或其盐构成的第一掺杂剂的溶剂中,使用氧化剂对提供导电性高分子的单体进行化学氧化聚合来合成导电性高分子的第一工序;
精制所述导电性高分子的第二工序;
在含有所述精制后的导电性高分子的水系溶剂中,加入第二掺杂剂,并混合所述氧化剂,接着加入第三掺杂剂,进而混合所述氧化剂的第三工序;以及
对所述第三工序中得到的混合液进行离子交换处理得到导电性高分子悬浊液的第四工序。
2.根据权利要求1所述的导电性高分子悬浊液的制造方法,其特征在于,所述单体为选自吡咯、噻吩、苯胺以及它们的衍生物中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的导电性高分子悬浊液的制造方法,其特征在于,所述单体为3,4-亚乙基二氧噻吩。
4.根据权利要求1所述的导电性高分子悬浊液的制造方法,其特征在于,所述第一掺杂剂和/或所述第二掺杂剂为选自聚磺酸或其盐中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的导电性高分子悬浊液的制造方法,其特征在于,所述聚磺酸或其盐为聚苯乙烯磺酸。
6.根据权利要求1所述的导电性高分子悬浊液的制造方法,其特征在于,所述第三掺杂剂为选自低分子有机酸或者它们的盐中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的导电性高分子悬浊液的制造方法,其特征在于,所述低分子有机酸或者它们的盐为选自烷基磺酸、苯磺酸、萘磺酸、蒽醌磺酸、樟脑磺酸及它们的衍生物、以及上述物质的铁(III)盐中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的导电性高分子悬浊液的制造方法,其特征在于,在所述第四工序之后,含有混合选自赤藓糖醇及季戊四醇中的至少一种的第五工序。
9.一种导电性高分子悬浊液,其特征在于,其通过权利要求1所述的方法而得到。
10.一种导电性高分子材料,其特征在于,其从权利要求9所述的导电性高分子悬浊液中除去溶剂而得到。
11.一种固体电解电容器,其特征在于,其具有含有权利要求10所述的导电性高分子材料的固体电解质层。
12.根据权利要求11所述的固体电解电容器,其特征在于,其具有由阀作用金属构成的阳极导体和在所述阳极导体的表面形成的介电层,且在所述介电层上形成有所述固体电解质层。
13.根据权利要求11所述的固体电解电容器,其特征在于,所述固体电解质层包含在所述介电层上形成的第一固体电解质层和在所述第一固体电解质层上形成的第二固体电解质层。
14.根据权利要求12所述的固体电解电容器,其特征在于,所述阀作用金属为选自铝、钽、铌中的至少一种。
15.一种固体电解电容器的制造方法,其特征在于,所述方法包括如下工序:
在由阀作用金属构成的阳极导体的表面形成介电层的工序;以及
在所述介电层上涂布或者浸渗权利要求9所述的导电性高分子悬浊液,从所述导电性高分子悬浊液中除去溶剂,形成含有导电性高分子材料的固体电解质层的工序。
16.一种固体电解电容器的制造方法,其特征在于,所述方法包括如下工序:
在由阀作用金属构成的阳极导体的表面形成介电层的工序;
在所述介电层上使提供导电性高分子的单体进行化学氧化聚合或者电解聚合,形成含有所述导电性高分子的第一固体电解质层的工序;
在所述第一固体电解质层上涂布或者浸渗权利要求9所述的导电性高分子悬浊液,从所述导电性高分子悬浊液中除去溶剂并形成第二固体电解质层的工序。
17.根据权利要求16所述的固体电解电容器的制造方法,其特征在于,所述第一固体电解质层中含有的导电性高分子为对作为所述单体的选自吡咯、噻吩、3,4-亚乙基二氧噻吩、苯胺及其衍生物中的至少一种进行化学氧化聚合或者电解聚合而得到的聚合物。
18.根据权利要求15所述的固体电解电容器的制造方法,其特征在于,所述阀作用金属为选自铝、钽、铌中的至少一种。
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