[发明专利]太赫兹准光混频器

权利要求书

1.一种太赫兹准光混频器，包括混频天线、高阻介质透镜、中频电路以及背面短路器，太赫兹频段本振信号由高阻介质透镜耦合到混频天线上以提供超外差混频的太赫兹频段本振信号，待检测信号也通过高阻介质透镜耦合至混频天线上；耦合到混频天线上的待检测信号以及本振信号通过混频天线混频后产生中频信号，中频信号由中频电路滤波和放大后输出；位于混频天线背瓣方向的背面短路器沿混频天线法线方向移动，改变与混频天线的距离。

2.根据权利要求1所述的太赫兹准光混频器，其特征在于：所述准光混频器中的混频天线包括平面天线、二极管以及中频引线，混频天线中的二极管位于平面的射频馈电端口处并且分别与平面天线的两极相连，耦合到混频天线上的待检测信号以及本振信号通过混频天线上的二极管混频后产生中频信号，中频信号由中频引线引出。

3.根据权利要求2所述的太赫兹准光混频器，其特征在于：混频天线中的二极管为肖特基二极管。

4.根据权利要求3所述的太赫兹准光混频器，其特征在于：

混频天线(1)采用半导体工艺制作，混频天线(1)的平面天线(11)与肖特基二极管使用同一半绝缘砷化镓衬底(111)，在半绝缘砷化镓衬底(111)上形成高掺杂浓度砷化镓层(112)；

肖特基二极管(12)包括低浓度掺杂砷化镓层(113)、第一欧姆接触电极(122)、第二欧姆接触电极(123)、二氧化硅层(114)、肖特基阳极延伸压点(124)、欧姆接触阴极压点(125)、肖特基接触阳极(121)、悬空电镀桥(126)和沟道(128)；低浓度掺杂砷化镓层(113)和第一欧姆接触电极(122)分别形成在高掺杂浓度砷化镓层(112)上；欧姆接触阴极压点(125)形成在第一欧姆接触阴极(122)上；第二欧姆接触电极(123)形成在高掺杂浓度砷化镓层112上，肖特基阳极延伸压点(124)形成在第二欧姆接触电极(123)上；低浓度掺杂砷化镓层(113)位于第一欧姆接触电极(122)和第二欧姆接触电极(123)之间；二氧化硅层(114)形成在低浓度掺杂砷化镓层(113)上，在二氧化硅层(114)开有小孔，肖特基接触阳极(121)位于小孔中，肖特基接触阳极(121)与低浓度掺杂砷化镓层(113)接触形成肖特基结；悬空电镀桥(126)形成在二氧化硅层(114)和肖特基接触阳极(121)上；肖特基接触阳极延伸压点(124)通过悬空电镀桥(126)与肖特基接触阳极(121)相连；沟道(128)形成在高浓度掺杂砷化镓层(112)、低浓度掺杂砷化镓层(113)和二氧化硅层(114)中，沟道(128)中的高浓度掺杂砷化镓层(112)、低浓度掺杂砷化镓层(113)和二氧化硅层(114)被除去；

平面天线(11)包括第三欧姆接触电极(132)、第四欧姆接触电极(134)、第一天线压点(131)和第二天线压点(133)；第三欧姆接触电极(132)形成在高掺杂浓度砷化镓层(112)上，第一天线压点(131)形成在第三欧姆接触电极(132)上；第四欧姆接触电极(134)形成在高掺杂浓度砷化镓层(112)上，第二天线压点(133)形成在第四欧姆接触电极(134)上；第一天线压点(131)与肖特基接触阳极延伸压点(124)连接，第二天线压点(133)与欧姆接触阴极压点(125)连接；

中频引线13由第五欧姆接触电极(142)、第六欧姆接触电极(144)、第一引线压点(141)和第二引线压点(143)组成；第五欧姆接触电极(142)形成在高掺杂浓度砷化镓层(112)上，第一引线压点(141)形成在第五欧姆接触电极(142)上；第六欧姆接触电极(144)形成在高掺杂浓度砷化镓层(112)上，第二引线压点(143)形成在第六欧姆接触电极(144)；第一引线压点(141)与第一天线压点(131)连接，第二引线压点(143)与第二天线压点(133)连接。

5.根据权利要求4所述的太赫兹准光混频器，其特征在于：

肖特基接触阳极延伸压点(124)、欧姆接触阴极压点(125)、第一天线压点(131)、第二天线压点(133)、第一引线压点(141)以及第二引线压点(143)的厚度相同，肖特基接触阳极延伸压点(124)、欧姆接触阴极压点(125)、第一天线压点(131)、第二天线压点(133)、第一引线压点(141)以及第二引线压点(143)的上平面在同一平面。