[发明专利]干燥方法及干燥装置有效
申请号: | 201210383045.2 | 申请日: | 2012-10-10 |
公开(公告)号: | CN103730331A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 谢宏亮;许明棋 | 申请(专利权)人: | 辛耘企业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人: | 刘云贵;韩龙 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 干燥 方法 装置 | ||
1.一种干燥方法,用于根据一差压循环设定及一总循环设定来干燥一处理槽中的一被干燥物,该干燥方法包含以下步骤:
高温气体加压步骤,提供高温的气体至该处理槽中,以使该处理槽内的压力大于760托,并通过该高温气体加热该被干燥物;
降压步骤,开启连接该处理槽的一排气阀以使该处理槽内的压力降低;
差压循环判断步骤,根据该差压循环设定以依序地执行该高温气体加压步骤及该降压步骤至少一次以上;
低压干燥步骤,开启连接该处理槽的一真空装置以使该处理槽内的压力降低至180托以下;
压力回复步骤,填充气体至该处理槽中,以使该处理槽内的压力回升;及
总循环判断步骤,根据该总循环设定依序执行该高温气体加压步骤至该压力回复步骤至少一次以上。
2.如权利要求1所述的干燥方法,其特征在于,在该高温气体加压步骤中,该处理槽内的压力增加至大于760托且小于等于1460托的范围。
3.如权利要求1所述的干燥方法,其特征在于,在该低压干燥步骤中,该处理槽内的压力降低至0.1-180托。
4.如权利要求1所述的干燥方法,其特征在于,在该高温气体加压步骤中,该被干燥物的表面温度增加至30-160℃。
5.如权利要求4所述的干燥方法,其特征在于,在该高温气体加压步骤至该压力回复步骤的期间,该处理槽内部维持在30-160℃。
6.如权利要求1所述的干燥方法,其特征在于,在该高温气体加压步骤中,该被干燥物的表面温度增加至30-80℃。
7.如权利要求6所述的干燥方法,其特征在于,在该高温气体加压步骤至该压力回复步骤的期间,该处理槽内部维持在30-80℃。
8.如权利要求1所述的干燥方法,其特征在于,该差压循环判断步骤后还包含:结束循环判断步骤,其是当该总循环设定为二次以上时,根据一结束循环设定判断是否结束。
9.如权利要求1所述的干燥方法,其特征在于,该高温气体加压步骤前还包含:预处理步骤,其是通过HF last或SC1工艺在一预处理槽中进行该被干燥物的洗净,其中该被干燥物为基板。
10.如权利要求1所述的干燥方法,其特征在于,在该高温气体加压步骤前还包含:预干燥步骤,其是通过将该被干燥物浸泡于一预处理槽的清洗液中再利用马兰哥尼效应使该被干燥物表面的液体去除,其中该被干燥物为基板。
11.如权利要求1所述的干燥方法,其特征在于,该差压循环设定为该高温气体加压步骤及该降压步骤依序循环执行二次。
12.如申权利要求1所述的干燥方法,其特征在于,该气体为氮气或洁净气体。
13.如权利要求1所述的干燥方法,其特征在于,该气体是通过气体加热器或红外线加热器加热。
14.一种干燥装置,用于执行如权利要求1至13中任一项所述的干燥方法,其特征在于,该干燥装置包含:
处理槽,具有用于容置该被干燥物的容置空间;
气体供应单元,连接该处理槽,用于提供气体至该处理槽中;
气体加热单元,连接该气体供应单元,用以加热供应至该处理槽的气体;
降压单元,具有分别连接该处理槽的排气阀及用于抽气的真空装置,以降低该处理槽内部气压;及
主控计算机设备,其电性连接该气体供应单元、该气体加热单元及该降压单元,该主控计算机设备接收该差压循环设定及该总循环设定来控制该气体供应单元、该气体加热单元及该降压单元。
15.如权利要求14所述的干燥装置,其特征在于,该处理槽上设置有加热装置,用以维持该处理槽内的温度或使该处理槽内的温度上升。
16.如权利要求15所述的干燥装置,其特征在于,该加热装置与该主控计算机设备电性连接。
17.如权利要求14所述的干燥装置,其特征在于,该处理槽内另包含一预处理槽。
18.如权利要求14所述的干燥装置,其特征在于,该干燥装置另包含一预处理槽,其通过一输送单元与该处理槽连接,以使该被干燥物由该预处理槽输送至该处理槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造