[发明专利]一种兼容集成制造硅晶体二极管三极管的方法

权利要求书

1.一种兼容集成制造硅晶体二极管三极管的方法，其特性在于包括如下步骤：

1）在N^-/N⁺型硅片的N^-面上氧化、光刻、扩散入P型半导体杂质，形成硅晶体三极管的P⁺型基区（B）和硅晶体二极管的P⁺型正极（+）区；

2）在硅晶体三极管的P⁺型基区（B）上光刻、定域扩散入N⁺型杂质，形成硅晶体三极管的N⁺型发射区（E），同时于硅晶体二极管的P⁺型正极（+）区周围选择扩散入N⁺型杂质，形成硅晶体二极管的负极（-）区；

3）在P⁺型杂质扩散区和N⁺型杂质扩散区表面光刻开出引线孔、蒸发铝金属、光刻电极内引线并互联、合金，制成硅晶体二极管三极管的集成芯片。

2.根据权利要求1所述的一种兼容集成制造硅晶体二极管三极管的方法，其特征在于所述的N^-层硅片的电阻率为30~90Ωcm， N^-层硅片的厚度为60~100μm。

3.根据权利要求1所述的一种兼容集成制造硅晶体二极管三极管的方法，其特征在于所述的P型扩散的半导体杂质为硼，扩散温度为1220℃~1240℃，扩散时间为2~5小时，N型扩散的半导体杂质为磷，扩散温度为1130℃~1150℃，扩散时间为3~5小时。

4.根据权利要求1所述的一种兼容集成制造硅晶体二极管三极管的方法，其特征在于所述的硅晶体二极管P⁺型正极（+）区和硅晶体二极管N⁺型负极（-）区的形状为圆形或四边形。

5.根据权利要求1所述的一种兼容集成制造硅晶体二极管三极管的方法，其特征在于所述的电极内引线是硅晶体三极管的基极(B)与硅晶体二极管的负极（-）极互联、硅晶体三极管的发射极(E)与硅晶体二极管的正极（+）极互联。